Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
КТ848А, Транзистор NPN, мощный, усилительный
2144141538
КТ852Б, TO-220
1963089978
КТ853А, Транзистор PNP, составной, усилительный
2130622709
КТ853Б, Транзистор Дарлингтона PNP, усилительный
297060222
КТ853В, Транзистор PNP, усилительный
1250148275
КТ853Г, Транзистор PNP, усилительный
813364374
КТ854А, TO-220
412755074
КТ857А, TO-220
409563017
КТ859А, TO-220, перепр.2016
1616211626
КТ863Б, TO-220
948136949
КТ896А, TO218
1131162252
КТ908А, Транзистор NPN, переключательный
1533764994
КТ9115А, TO-126
1844057632
КТ9181А, TO-126
877372312
КТ9181Б, Транзистор NPN, 3А, 40В, h21e>=50 [КТ-27-2 / TO-126]
867066946
Корпус КТ-27 (TO-126)
КТ940Б, TO-126
1928592802
КТ940Б, Транзистор NPN, 250В, 0.1А, 1.2Вт, h21e=>25 [КТ-27 / TO-126] (=BF458)
336138580
Корпус КТ-27 (TO-126)
КТ961Б, TO-126
1812670511
КТ969А, TO-126
1559805440
КТ972А, TO-126
150727060
КТ972А, Транзистор биполярный, NPN, 60В, 2А, 8Вт, h21е >750 [КТ-27] (=BD875)
2115998723
Корпус КТ-27 (TO-126)
КТ972Б, Транзистор NPN 45В 2А 8Вт 200МГц, КТ-27 (TO-126) (BD875)
1231236986
Корпус КТ-27 (TO-126)
КТ973А, TO-126
1377038018
КТ973А, Транзистор Дарлингтона, PNP, 60В, 2А, 1.25Вт, h21е >750 5000 [КТ-27/TO-126] (=BD876)
1513562120
Корпус КТ-27 (TO-126)
КТ973Б, Транзистор Дарлингтона, PNP, 45В, 2А, 1,25Вт, h21е =>750 [КТ-27/TO-126]
578057595
МП26Б, Транзистор германиевый PNP [металл]
846863645
МП40, Транзистор PNP, германиевый, низкочастотный усилительный
1560616218
МП41А, Транзистор германиевый PNP
1008229325
МП42Б, Транзистор германиевый PNP
1024332610
П213Б, Транзистор германиевый PNP
1356484004
2П103А, (90-92г)
877857999
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2,2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,12
Крутизна характеристики S,мА/В 1
Корпус KT-17
2П103А, 1993г
493595662
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2,2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,12
Крутизна характеристики S,мА/В 1
Корпус KT-17
2П103Б, (90-92г)
2122138286
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,12
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-17
2П103В, ОС
1306830645
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,12
Крутизна характеристики S,мА/В 3
Корпус KT-17
2П103Г, (90-93г)
707505779
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,12
Крутизна характеристики S,мА/В 3
Корпус KT-17
2П302Б, ((90-92г.)
791323325
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,3
Крутизна характеристики S,мА/В 10
Корпус KT-27
Покзать параметры
2П302Б, (перепров. 2002г)
992151329
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,3
Крутизна характеристики S,мА/В 10
Корпус KT-27
Покзать параметры
2П302В
2001178988
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 10
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,3
Корпус KT-27
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 0,043
2П302В, ОС
367837585
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 10
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,3
Корпус KT-27
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 0,043
2П303А
1739054651
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-112
Покзать параметры
2П303А, никель
717420883
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-112
Покзать параметры
2П303А, ОС
596465517
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-112
Покзать параметры
2П303Б
121839582
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-112
Покзать параметры
2П303И
650162710
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 4
Корпус KT-112
Покзать параметры
2П303И, никель
747906612
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 4
Корпус KT-112
Покзать параметры
2П304А
969623736
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 4
Корпус KT-114
Покзать параметры
2П305Б, транзистор полевой
673999076
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,15
Крутизна характеристики S,мА/В 8
Корпус KT-112
Покзать параметры
2П305В
707498479
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,15
Крутизна характеристики S,мА/В 8
Корпус KT-112
Покзать параметры
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.