Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
КП809А1
1456734805
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 100
Крутизна характеристики S,мА/В 1 500
Корпус KT-431
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 25
Покзать параметры
КП809А2
1442507999
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 100
Крутизна характеристики S,мА/В 1 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 0,3
КП809Б
586542256
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 100
Крутизна характеристики S,мА/В 1 500
Корпус KT-9
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 20
Покзать параметры
КП809Б1
747907531
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 100
Крутизна характеристики S,мА/В 1 500
Корпус KT-431
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 20
Покзать параметры
КП809Б2
979537664
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 100
Крутизна характеристики S,мА/В 1 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 0,6
КП813Б2, транзистор полевой
1980976713
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 125
Крутизна характеристики S,мА/В 5 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 22
Покзать параметры
КП901А, (90-92гг.)
414891839
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 70
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 20
Крутизна характеристики S,мА/В 100
Корпус KT-42
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 4
КП902А, (90-92г.)
1798738264
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 3,5
Крутизна характеристики S,мА/В 17
Корпус KT-42
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 0,2
КП904А, (90-95г.)
1890504078
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 70
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 75
Крутизна характеристики S,мА/В 385
Корпус KT-52
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 5
КП907А, (90-92г)
147661440
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 11,5
Крутизна характеристики S,мА/В 155
Корпус KT-162
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 1,7
КП921А
2001181986
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 15
Крутизна характеристики S,мА/В 800
Корпус KT-282
Покзать параметры
КП922А
2011463600
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 60
Крутизна характеристики S,мА/В 1 550
Корпус KT-9
Покзать параметры
КПС104А
1066994122
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,045
Крутизна характеристики S,мА/В 1
10N65F, [TO-220F]; MOSFETs ROHS; STP9N65M=(ST)
1196935064
Корпус TO-220F
15N10, [TO-252]; 100V 15A 50W 80mR@10V,10A 2.5V@250?A N Channel MOSFETs ROHS;=FQD13N10L(ON);=TK15S10
134892193
Корпус TO-252
1N60L, DPAK/TO-252AA
79002218
2N7002A-7-F, транзистор SOT-23-3
1369529421
Корпус SOT-23-3
2N7002B, [SOT-23]; 60V 115mA 5R@10V,500mA 225mW 2.5V@250?A N Channel MOSFETs ROHS;=NDC7002N(ON);=2N7
1055772558
2N7002K, N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 0.35Вт [SOT-23]
1770981851
Структура N-канал
Корпус SOT-23
2N7002K-T1-GE3, N канал транзистор 60В 300мА SOT-23-3 (TO-236)
1826518474
Структура N-канал
Корпус SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3, транзистор MOSFET N канал 60В 0.3A 3-Pin SOT-23
1504467682
Структура N-канал
Корпус SOT-23
2SK1317-E, транзистор N канал Si 1.5кВ 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
458712322
Структура N-канал
Корпус TO-3P
2SK2843
897703721
AO4612, транзистор N-канал/ P-канал, 60В, 4.5/-3.2А, 2Вт, 56мОм/105мОм SO8
984210169
Структура N&P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Корпус SOIC-8
AUIRFB8409, полевой транзистор N-канал 40В 195А 1.3мОм TO220AB
972389094
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
BC847BW, кремниевый эпитаксиальный плоский NPN транзистор, 50В, 100мА, 225мВт [SOT-323]
964954173
Корпус SOT-323
BC857BW, пластиковый капсулированный PNP транзистор, -50В, -100мА, 150мВт [SOT-323]
2127753590
Корпус SOT-323
BF998E6327HTSA1, SOT143
398321915
Корпус SOT-143
BSC057N08NS3GATMA1, TDSON-8/ SuperSO8
923074251
BSC059N04LS6, транзистор полевой N-канал 40В 59А TDSON-8FL
803864747
Структура N-канал
Корпус TDSON-8FL
BSC0802LSATMA1, транзистор полевой N-канал 100В, 100А PG-TDSON-8
1987377793
Структура N-канал
Корпус TDSON-8
BSP129H6327XTSA1, SOT-223
1523992386
Корпус SOT-223-3
BSS138, N-канальный MOSFET, 50В, 0.22А, 0.35Вт [SOT-23]
398977787
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,3
Покзать параметры
BSS138KJ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 0.6А, 0.8Вт [SOT-23]
2105560008
Структура N-канал
Корпус SOT-23
BSS138NH6327XTSA2, Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
1732683197
BSS138W-7-F, SOT-323
1954654174
Корпус SOT-323
BSS295, транзистор SIPMOS 50В 1.4A 0.3? TO92
1431194227
Корпус TO-92
BTS4140NHUMA1, TO-261-4, TO-261AA
1023322023
Корпус TO-261AA
CSD16404Q5A, транзистор 8SON
1041655797
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 21
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 7.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3
Покзать параметры
CSD16409Q3, Транзистор N-канал 25В 60А Q3
399798922
Структура N-канал
CSD16413Q5A, транзистор 8SON
696048531
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 24
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 5.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3,1
Покзать параметры
CSD17304Q3, Транзистор N-канал 30В 56А Q3
1562598336
Структура N-канал
CSD17308Q3T, Транзистор N-канал 30В 50A Q3
3485605
Структура N-канал
CSD17309Q3, Транзистор N-канал 30В 30A Q3
1119230852
Структура N-канал
CSD17571Q2, Транзистор N-канал 30В 22A Q2
1609652503
Структура N-канал
CSD17573Q5B, Транзистор N-канал 30В 100A Q5B
1569569547
Структура N-канал
CSD18535KTTT, N-канал транзистор 60В 2мОм D2PAK//TO-263
1159313809
Структура N-канал
Корпус TO-263
CSD18537NQ5A, Транзистор N-канал 60В 50A Q5A
763000491
Структура N-канал
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.