Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
CSD18537NQ5AT, Транзистор N-канал 60В 50A Q5AT
1965882864
Структура N-канал
CSD18563Q5AT, Транзистор N-канал 60В 100A Q5AT
1166285018
Структура N-канал
CSD19531KCS, Транзистор N-канал 100В 100A TO-220
1562598337
Структура N-канал
Корпус TO-220
CSD19538Q2, Транзистор N-канал 100В 14A Q2
1965882875
Структура N-канал
CSD19538Q3A, Транзистор N-канал 100В 15A Q3A
1166285007
Структура N-канал
CSD25310Q2, Транзистор P-канал -20В -20A Q2
3485593
Структура P-канал
CSD25402Q3A, Транзистор P-канал -20В -72A Q3A
1119230840
Структура P-канал
CSD25402Q3AT, Транзистор P-канал -20В -76A Q3AT
763000481
Структура P-канал
CSD87384M, транзисторная сборка синхронного выпрямителя 2xN-канал 30В 30A DBC
1965882874
Структура 2N-канал
GT080N10K, N канальный транзистор 100В 65A TO-252
1286461761
Структура N-канал
Корпус TO-252
GT55N06D5
1589264706
HCD80R1K4E, [D-PAK] Транзистор MOSFET 800В 4А 1,4 Rds (=FCD1300N80Z, STD5N80K5, IPD80R1K4P7ATMA1)
126427565
Корпус DPAK (TO-252AA)
HCS80R380R, [TO-220F] Транзистор MOSFET N-канальный 800 В 14 А =STF15N80K5 можно предложить вместо S
1240880877
Структура N-канал
Корпус TO-220F
HFP4N60, Транзистор MOSFET N-канальный 600 В 4 А [TO-220] (=IRFBC30PBF)
2112759926
Структура N-канал
Корпус TO-220
HKTG120N04, N-канальный MOSFET, 40В, 120А (PDFN5x6)
615379775
Структура N-канал
Корпус PDFN5x6
HKTQ150N03, N-канальный MOSFET, 30В, 150А (PDFN3333)
547419639
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 150
Корпус PDFN3333
HKTQ30P03, P-канальный MOSFET, -30В, -60А, 32мВт (PDFN3333)
144135050
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 60
Корпус PDFN3333
IAUC120N04S6N009ATMA1, N-канальный транзистор 40В 120А PG-TDSON-8
1631147434
Структура N-канал
Корпус TDSON-8
IKW75N60TFKSA1, Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт TO-247
1583583803
Корпус TO-247-3
IPB014N06N, транзистор 60В 180А TO263-7
1127888738
Корпус TO-263-7
IPD180N10N3G, транзистор N канал 100В 43А PG-TO252-3
1249623068
Структура N-канал
Корпус TO-252-3
IPD60R1K0PFD7SAUMA1, N канал транзистор 650В 8.8А DPAK
2034431961
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
IPD60R1K5PFD7SAUMA1, N канал транзистор 650В 6А DPAK
1987377794
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
IPD60R210PFD7SAUMA1, N канал транзистор 650В 42А DPAK
421293853
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
IPD60R600PFD7SAUMA1, N канал транзистор 650В 14А DPAK
1631147435
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
IPD80R2K0P7ATMA1, N канал транзистор 800В 3А DPAK
65063494
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
IPN60R600PFD7SATMA1, N канал транзистор 650В 14А SOT223
694451393
Структура N-канал
Корпус SOT-223-3
IPP039N04LGXKSA1, N канал транзистор 40В 80А TO220-3
2034431962
Структура N-канал
Корпус TO-220
IPW60R041C6FKSA1, транзистор 600В TO-247
265599975
Корпус TO-247-3
IRF1010EPBF, транзистор Nкан 60В 81А ТО220AB
370938183
Корпус ТО-220AB
IRF1404PBF, ТО220AB
1502311443
IRF1404PBF, транзистор N канал 40В 162А ТО220AB
4306838
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 162
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Покзать параметры
IRF1404PBF, транзистор N канал 40В 162А ТО220AB
731401138
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 162
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Покзать параметры
IRF150P220, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 150 В, 203 А, 0.0023 Ом, TO-247
1805808919
Структура N-канал
Корпус TO-247-3
IRF2807PBF, транзистор Nкан 75В 82А ТО220AB
1177393171
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 82
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 230
Покзать параметры
IRF3205LPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 55В 110А [TO-262]
1574290763
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 110
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Покзать параметры
IRF3205PBF, транзистор N канал 55В 110А TO220AB
257241201
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 110
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Покзать параметры
IRF3315PBF, транзистор полевой Nкан 150В 27А TO220AB
1533737608
Корпус TO-220AB
IRF3710PBF, транзистор N канал 100В 57А TO220AB
158925900
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 57
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 23
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Покзать параметры
IRF3710STRLPBF, D2Pak (TO-263)
583560033
IRF3710ZSPBF, транзистор N канал 100В 59А D2Pak
353209045
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 59
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 160
Покзать параметры
IRF3711ZPBF, транзистор N канал 20В 92А TO220AB
1941662065
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 92
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2,45
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 79
Покзать параметры
IRF3808PBF, транзистор N канал 75В 140А TO220AB
1805808921
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRF3808PBF, транзистор N канал 75В 140А TO220AB
167115527
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRF3808PBF, транзистор N канал 75В 140А авто TO220AB
22038637
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 140
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 330
Покзать параметры
IRF4905PBF, ТО-220AB
208022796
Корпус ТО-220AB
IRF4905STRLPBF, транзистор P канал55В -74А D2Pak
1555588843
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -45
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 170
Покзать параметры
IRF5210PBF, транзистор P канал100В -40А ТО220AB
1991129396
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -40
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Покзать параметры
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.