Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
IRF5210STRLPBF, D2Pak (TO-263)
1158344023
Корпус TO-263
IRF5305PBF, транзистор Р канал -55В -31А TO220AB
945513995
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -31
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Покзать параметры
IRF5305STR-VB, транзистор Р канал -55В -31А D2Pak
1429892432
Корпус D2PAK
IRF5305STRLPBF, транзистор Р канал -55В -31А D2Pak
995837410
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -31
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Покзать параметры
IRF530NSTRLPBF, транзистор N канал 100В 17А D2Pak
1801355811
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 90
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 70
Покзать параметры
IRF540NPBF, транзистор N канал 100В 33А TO220AB
1147048376
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 33
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 44
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 130
Покзать параметры
IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]
248189262
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRF540NSTRLPBF, [TO-263] транзистор N канал 100В 33А D2Pak = IRF540NSTRPBF = IRF540NSPBF
1119501082
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 33
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 44
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 130
Покзать параметры
IRF5803D2PBF, транзистор Pкан+Шотт -40В -3.4А SO8
1482300725
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -3.4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 190
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF5803TRPBF, транзистор P канал 40В -3.4А TSOP6/Micro6
1348313127
Корпус TSOP6
IRF610PBF, транзистор N канал 200В 3.3А TO220AB
1504129712
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 36
Покзать параметры
IRF620PBF, транзистор N канал 200В 5.2А TO220AB
1991096005
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 800
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50
Покзать параметры
IRF6216TRPBF, транзистор Pкан -150В -2.2А SO8
863594582
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 240
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF630NPBF, транзистор Nкан 200В 9.5А TO220AB
287688164
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 300
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 82
Покзать параметры
IRF630PBF, транзистор N канал 200В 9.0А TO220AB
999102379
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 74
Покзать параметры
IRF640NPBF, транзистор N канал 200В 18А TO220AB
1135782339
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 150
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Покзать параметры
IRF640SPBF, транзистор N канал 200В 18А D2Pak
932483485
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 180
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF6645TRPBF, N канал транзистор 100В 25А SJ
1857250807
Структура N-канал
IRF7101PBF, транзистор 2N канал 20В 3.5А SO8
1417054484
Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7103TRPBF, транзистор 2N канал 50В 3А 130мОм 8-SO
2046753946
Структура 2N-канал
Корпус SOIC-8
IRF7204, транзистор P канал 20В -5.3А SO8 = IRF7204TRPBF
1655221281
Корпус SOIC-8
IRF7205TRPBF, P канал транзистор -305В -4.6А SO-8
1987377795
Корпус SOIC-8
IRF7240PBF
138183164
IRF7303TRPBF, 2N канал транзистор 30В 5.3А SO8
618765474
Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7303TRPBF, транзистор 2N канал 30В 5.3А SO8
1572945604
Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 05.фев
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7304TRPBF, транзистор 2P канал -20В -4.7А SO8
277863107
Корпус SOIC-8
IRF7306TRPBF, транзистор 2Pкан -30В -4.0А SO8
341646133
IRF7307TRPBF, транзистор N/P канал 20В 5.2 -4.3А SO8
1488702578
Структура N&P-канал
Корпус SOIC-8
IRF7309TRPBF, N/P кан транзистор 30B 4/-3A SO8
1629967267
Структура N&P-канал
Корпус SOIC-8
IRF7309TRPBF, SO-8
790425088
IRF7309TRPBF, транзистор N/Pкан 30B 4/-3A SO8
711911854
Структура N&P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30/-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4/-3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50/100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,4
Покзать параметры
IRF730PBF, транзистор N канал 400В 5.5А TO220AB
1511862114
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 74
Покзать параметры
IRF7316TRPBF, транзистор 2P канал -30В -4.9А SO8
1907730074
IRF7319TRPBF, транзистор N/P канал 30B 6.5/-4.9A SO8
155095276
Структура N&P-канал
Корпус SOIC-8
IRF7331PBF, транзистор 2Nкан 20В 7А SO8
1454887606
Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7341TRPBF, транзистор 2N канал 55В 4.7А SO8
2139904227
Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7341TRPBF, транзистор 2N канал 55В 4.7А SO8
813606598
Структура 2N-канал
Корпус SOIC-8
IRF7342TRPBF, транзистор 2P канал -55В -3.4А SO8
1761345900
IRF7342TRPBF, [S0-8] [транзистор 2P канал -55В -3.4А SO8
1596736134
Структура 2P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -3.4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 105
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7343TRPBF, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8
1338097658
Структура N&P-канал
Корпус SOIC-8
IRF7351TRPBF, транзистор 2N канал 60В 8А SO8
1631922131
Структура 2N-канал
Корпус SOIC-8
IRF7351TRPBF, транзистор 2N канал 60В 8А SO8
500577164
Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 17.авг
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7401TRPBF, транзистор N канал 20В 8.7А SO8 DC 17+ made in Phillipines
1466584748
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 0,7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF7403TRPBF, транзистор N канал 30В 8.5А SO8
1441608640
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF7404TRPBF, транзистор Pкан -20В -6.7А SO8
1969243047
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -6.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF7406TRPBF, транзистор Pкан -30В -5.8А SO8
1003975792
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -5.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 45
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF740ASPBF, транзистор N канал 400В 10А D2Pak
1337581249
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 550
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF740PBF, TO-220AB
387140489
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.