Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Электронные компоненты
Кол-во на странице:
STD7NM80, D-Pak
1752613287
STP11NK50ZFP, транзистор TO-220FP-3
986723107
Корпус TO-220FP
STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А [TO-220AB]
1257808912
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
SVF12N65F, N-канальный транзистор 650В ТО-220
640155894
Структура N-канал
Корпус TO-220
TLE5212G, транзистор 2x0.5A 4x50mA low-side SO28
809185632
Структура Инт. ключ
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 24
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 800
Корпус SO28
Особенности Интеллектуальный ключ с защитой
TLE5224G2, транзистор 2x4A Low Sw.PDSO-24-3
868866075
Структура Инт. ключ
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 250
Корпус SO24
Особенности Интеллектуальный ключ с защитой
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
34142468
Структура N-канал
Корпус TO
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
269413016
Структура N-канал
Корпус TO-220
WMQ30N03T2, полевой транзистор 30В PDFN8L3X3
44860153
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 30
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 24
Покзать параметры
YJL02N10A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 2А [SOT-23] = SI2328DS-T1-E3 = SI2324A-TP
889352802
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2
Корпус SOT-23
YJL2305B, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -5.4А [SOT-23] = SI2399DS-T1-GE3 = DMP2110U
82783748
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.4
Корпус SOT-23
YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]
1625783790
Структура N-канал
Корпус SOT-223-3
BSS131H6327XTSA1, SOT-23
1073663195
Корпус SOT-23
CF750, двухзатворный полевой транзистор GaAs до 3ГГц 8В 0,3Вт SOT142
2091050488
Структура 2P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -80
Корпус D2PAK
CSD16403Q5A, транзистор 8SON
1663904012
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 28
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3,1
Покзать параметры
CSD23201W10, транзистор 4DSBGA
1723972675
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -0,6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 82
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Покзать параметры