Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
STP5NK80ZFP, транзистор TO220
787452622
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 2400 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | TO-220FP-3 |
| Особенности | SuperMesh |
STW8NK80Z, транзистор TO247
1971290062
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | TO-247-3 |
VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF
339007542
| Структура | N&P-канал |
| Корпус | SOIC-8 |
VS-FA57SA50LCP, транзистор N канал 500В 57А SOT227
2136891919
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Корпус | SOT-227 |
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
268385504
| Структура | N-канал |
| Корпус | DPAK (TO-252AA) |
YJB150N06BQ, [TO-263] MOSFET транзистор N-канальный 60В 150А
2052152216
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-263 |
YJB70G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 70А, 125Вт [TO-263]
1775398315
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-263 |
YJD15N10A, MOSFET транзистор N-канальный 100В 15А [TO-252]
1222499262
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
YJD212030NCTGH, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния,
1200B, 78A, 220В
1185976025
| Структура | N-канал |
YJD212040NCFG1, N-канал транзистор SiC 1200В 63А, 300Вт TO247-4L (=C3M0065090D C3M0075120K)
1345402455
YJD212040NCTG1, N-канал транзистор SiC 1200В 63А 300Вт TO247AB (=C3M0065090D C3M0075120K)
TO247-2
694451783
YJD212080NCFG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния,
1200B, 39A, 223В
389344434
| Структура | N-канал |
YJD60N02A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 60А (TO-252-B)
1458814764
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252-B |
YJD65G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 65А, 96Вт [TO-252]
1309715401
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
YJD65G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 65А, 96Вт [TO-252]
2107051903
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
YJG110G08HR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 80В, 110А, 125Вт(PDFN5060)
1145299269
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG20N06A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 21Вт [PDFN5060]
819214735
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG53G06A, N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 53А [DFN5X6]
486068272
| Структура | N-канал |
| Корпус | DFN5x6 |
YJG60G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 60А, 88Вт [PDFN5060-8L]
= FDMS86
1034794590
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060-8L |
YJG60G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 60А, 88Вт [PDFN5060]
= DMS86101
1794309477
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG60G15HJ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 150В, 60А, 125Вт [PDFN5060]
429234542
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG70G06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 70А, 70Вт (PDFN5060)
1210748311
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG80G06A, N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 80А [DFN5X6]
129837915
| Структура | N-канал |
| Корпус | DFN5x6 |
YJG85G06AK, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 85А, 110Вт [PDFN5060]
1775398320
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG90G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 90А, 120Вт [PDFN
5X6] = FDMS8615
175058991
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN 5x6 |
YJH03N10A, [SOT-89] MOSFET транзистор N-канальный 100В 3А
2029068315
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-89-3 |
YJL03G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 3A, 1.2Вт (SOT-23)
274782055
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL03N06C, N-канальный усиленный FET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] = YJL03N06A
1269826137
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
Страницы:
123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263646566676869707172737475767778798081828384858687888990919293949596979899100101102103104105106107108109110111112113114115116117118119120121122123124125126127128129130131132133134135136137138139140141142143144145146147148149150151152153154155156157158159160161162163164165166167168169170171172173174175176177178179180181182183184185186187188189190191192193194195196197198199200201202203204205206207208209210211212213214215216217218219220221222223224225226227228229230231232233234235236237238239240241242243244245246247248249250251252253254255256257258259260261262263264265266267268269270271272273274275276277278279280281282283284285286287288289290291292293294295296297298299300301302303304305306307308309310311312313314315316317318319320321322323324325326327328329330331332333334335336337338339340341342343344345346347348349350351352353354355356357358359360361362363364365366367368369370371372373374375376377378379380381382383384385386387388389390391392393394395396397398399400401402403404405406407408409410411412413414415416417418419420421422423424425426427428429430431432433434435436437438439440441442443444445446447448449450451452453454455456457458459460461462463464465466467468469470471472473474475476477478479480481482483484485486487488489490491492493494495496497498499500501502503504505506507508509510511
