Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
BLC2425M10LS250, транзистор
236172004
BSC016N06NS, Транзистор, рассеивание мощности: 139 Вт
1762366784
BSC123N08NS3G, транзистор полевой N-канал 80В 55A TDSON-8
85525466
Структура N-канал
Корпус TDSON-8
BSC123N08NS3G, транзистор полевой N-канал 80В 55A TDSON-8
1369807699
Структура N-канал
Корпус TDSON-8
BSC520N15NS3 G, Транзистор, N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
1842661839
BSH103,215, транзистор
699169076
BSH112, транзистор
1189043198
BSN20.215, транзистор N-кан 50В 170мА SOT-23
1877421651
Корпус SOT-23
BSO110N03MSG, Транзистор полевой N-CH 30V 10A 8-Pin DSO
1248324877
BSP62, PNP дарлингтон транзистор 90В 1А SOT223 09г
1789376449
Корпус SOT-223-3
BSS123, транзистор SOT23
517014122
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.17
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 6000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,36
Покзать параметры
BSS123LT1G, транзистор N-канал 100В 170мА SOT-23-3
1845418281
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.17
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,225
Покзать параметры
BSS138, транзистор 7-F SOT23
1845712915
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,3
Покзать параметры
BSS84LT1G, P-канальный транзистор 50В 130мА SOT-23
1680418043
Структура P-канал
Корпус SOT-23
BSZ034N04LSATMA1
289362547
BSZ040N04LS G
692647074
C3M0065090D, Транзистор TO-247-3
75316621
Корпус TO-247-3
CF739, транзистор 2-Gate GaAsFET 10v80mA1.75GHz
1668353453
CR160-E3, транзистор 1.6мА, 100В,TO-18
1712302917
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Корпус TO-18
CR360-E3, транзистор 3.6мА, 100В,TO-18
976950516
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Корпус TO-18
CR470-E3, транзистор 4.7мА, 100В,TO-18
97404162
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Корпус TO-18
CSD16323Q3, транзистор 8SON
796560233
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 60
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 5.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3
Покзать параметры
CSD16340Q3, Транзистор N-канал 25В 60А Q3
763000492
Структура N-канал
CSD16401Q5, транзистор 8SON
577967427
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 38
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3,1
Покзать параметры
CSD16406Q3, транзистор 8SON
1471177025
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 19
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 7.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,7
Покзать параметры
CSD16406Q3, Транзистор N-канал 25В 60А Q3
1965882863
Структура N-канал
CSD16407Q5, транзистор 8SON
716625863
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 31
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3,1
Покзать параметры
CSD16409Q3, транзистор 8SON
1509097947
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 12.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,6
Покзать параметры
CSD16410Q5A, транзистор 8SON
2137965949
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 16
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3
Покзать параметры
CSD16412Q5A, транзистор 8SON
1844963522
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 16
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3
Покзать параметры
CSD16414Q5, транзистор 8SON
1318698749
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 34
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3,2
Покзать параметры
CSD17579Q5AT, Транзистор N-канал 30В 25A Q5AT
1569569544
Структура N-канал
CSD18535KTTT, Транзистор N-канал 60В 200A TO-263
399798933
Структура N-канал
Корпус TO-263
CSD19534Q5A, Транзистор N-канал 100В 50A Q5A
3485604
Структура N-канал
CSD19534Q5AT, Транзистор N-канал 100В 50A Q5AT
1609652504
Структура N-канал
CSD25301W1015, транзистор 6DSBGA
1373151590
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -0,6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 82
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Покзать параметры
CSD25401Q3, транзистор 8SON
797268432
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -14
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -1,2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 11.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,8
Покзать параметры
CSD75301W1015, транзистор 6DSBGA
515843170
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -0,7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,8
Покзать параметры
DGQ4051EEQ-T1-GE4, транзистор
1810981145
DGQ4052EEQ-T1-GE4, транзистор
561671851
DGQ4053EEQ-T1-GE4, транзистор
2127755792
FA38SA50LC, транзистор N канал 500В 38А SOT227
135436559
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 38
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 130
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 500
Покзать параметры
FBS4652-TR1, транзистор
257997862
FDMS2734, N-канальный MOSFET транзистор сверхвысокой мощности, 250В, 25А, 140Вт [Power-56-8 (DFN5X6-
257667889
Структура N-канал
Корпус DFN5x6
FDMS7650, транзистор
1286044703
FDMS7658AS, транзистор
1328762729
FDPF12N60NZ, транзистор (FQPF12N60C) , TO220F
1713410520
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 12
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 530
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 39
Покзать параметры
FDS4685, транзистор SOIC8
1267005150
Корпус SOIC-8
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.