Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
FDS6680A, МОП-транзистор, 2.5 Вт
581879407
FDS8858CZ, транзистор 8-SO
1671149275
Корпус SOIC-8
FDS8958A, транзистор 30В 7А NP SO8
1540427324
Структура N&P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 28/52
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
FDS9945, транзистор N-кан 60В 3.5А 100мОм SO8
1897160327
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100
Температура, С -55…+175
Корпус SO8
FDS9945, транзистор SOIC8
1242514785
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100
Температура, С -55…+175
Корпус SO8
FDV303N, транзистор Digital FET, N-канал 25В 680мА SOT-23
1421435739
Структура N-канал
Корпус SOT-23
FGH40N60UFDTU, транзистор TO247
1501941137
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 80
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 6,5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 290
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
FMMT495, мощный высокопроизводительный транзистор, 170В, 1А, 250мВт (SOT-23) = Diodes
529991170
Корпус SOT-23
FMMT495TA, Транзистор , 0.5 Вт
1064235853
FQP10N60C, транзистор (IRF840, IRF840A) TO220AB
1948146521
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 730
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 156
Покзать параметры
FQP50N06, транзистор N-кан 60В 50А 0.022мОм TO-220
535928296
Корпус TO-220
FQP9N50, транзистор (IRF840), TO-220AB
1268133422
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 730
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 147
Покзать параметры
FQPF12N60C, транзистор TO220F
1191057131
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 12
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 650
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,51
Покзать параметры
FQT4N20LTF, N-канал транзистор 200В 850мА SOT223-4
1863640989
Структура N-канал
Корпус SOT-223-3
GS66504B-E01-MR, GaN транзистор 650В 15А GaNPX-3
1544157476
HGQ065NE4A, N канал транзистор 45В 60А PDFN5*6
1329918503
Структура N-канал
HKT02N10, N-канальный низковольтный MOSFET, 100В, 20А, 1.2Вт (SOT-23)
1098389981
HKTD120N04, N-канальный силовой MOSFET, 40В, 120А, 110Вт (TO-252)
1306934526
Структура N-канал
Корпус TO-252
HKTD15N10, N-канальный силовой MOSFET, 100В, 15А, 34Вт (TO-252)
1421948829
Структура N-канал
Корпус TO-252
HKTD20N06, N-канальный силовой MOSFET, 60В, 20А, 45Вт (TO-252)
144135112
Структура N-канал
Корпус TO-252
HKTD4N50, N-канальный силовой MOSFET, 500В, 5А, 22Вт (TO-252)
1710219053
Структура N-канал
Корпус TO-252
HKTD4N65, N-канальный силовой MOSFET, 650В, 4А, 23.1Вт (TO-252)
662433942
Структура N-канал
Корпус TO-252
HKTD50N03, N-канальный силовой MOSFET, 30В, 50А, 37Вт (TO-252)
903649999
Структура N-канал
Корпус TO-252
HKTD50N06, N-канальный силовой MOSFET, 60В, 50А, 45Вт (TO-252)
1018664303
Структура N-канал
Корпус TO-252
HKTD5N20, N-канальный силовой MOSFET, 200В, 5А, 78Вт (TO-252)
547419638
Структура N-канал
Корпус TO-252
HKTD5N50, N-канальный силовой MOSFET, 500В, 5А, 22Вт (TO-252)
2113503579
Структура N-канал
Корпус TO-252
HKTD70N04, N-канальный силовой MOSFET, 40В, 70А, 108Вт (TO-252)
615379776
Структура N-канал
Корпус TO-252
HKTD7N65, N-канальный силовой MOSFET, 650В, 7А, 27.2Вт (TO-252)
1306934525
Структура N-канал
Корпус TO-252
HKTD80N03, N-канальный силовой MOSFET, 30В, 80А, 60Вт (TO-252)
1421948830
Структура N-канал
Корпус TO-252
HKTD80N06, N-канальный силовой MOSFET, 60В, 80А, 100Вт (TO-252)
1986723735
HKTD90N03, N-канальный силовой MOSFET, 30В, 90А, 62.5Вт (TO-252)
144135111
Структура N-канал
Корпус TO-252
HKTG150N03, N-канальный MOSFET, 30В, 150А, 75Вт (PDFN5x6)
1710219052
Структура N-канал
Корпус PDFN5x6
HKTG40C40, N-канальный MOSFET, 40В, 400А (PDFN5x6)
1018664304
Структура N-канал
Корпус PDFN5x6
HKTG48N10, N-канальный MOSFET, 100В, 79А, 100Вт (PDFN5x6)
547419637
Структура N-канал
Корпус PDFN5x6
HKTG50N03, N-канальный MOSFET, 30В, 50А, 37Вт (PDFN5x6)
2113503578
Структура N-канал
Корпус PDFN5x6
HKTG90N02, N-канальный MOSFET, 20В, 90А (PDFN5x6)
615379777
Структура N-канал
Корпус PDFN5x6
HKTG90N03, N-канальный MOSFET, 30В, 90А, 90Вт (PDFN5x6)
1306934524
Структура N-канал
Корпус PDFN5x6
HY4008W, транзистор
1730929515
IPAN60R600P7SXKSA1, N канал транзистор 650В 16А TO220FP
694451394
Структура N-канал
Корпус TO-220
IPB073N15N5ATMA1, Транзистор траншейный >=100V
276577990
IPP027N08N5AKSA1, Транзистро полевой MOSFET N-Ch 80v 120A
115212518
IPP076N15N5AKSA1, транзистор полевой N-канал
1195145758
Структура N-канал
IPW60R017C7, транзистор N-кан 600В TOP247-3-1
1250188499
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 60
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 45
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 431
Покзать параметры
IRC840, транзистор N канал 500В 8А TO220
989826683
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 850
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
IRCZ34PBF, транзистор N канал 60В 30А TO-220
1119705548
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50
Корпус TO-220
IRF1010ZPBF корпус ТО-220
1730428594
Корпус TO-220
IRF1018EPBF, транзистор N канал 60В 79А ТО220AB
144142730
Структура N-канал
Корпус ТО-220AB
IRF1018ESPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK]
1580791764
Структура N-канал
Корпус D2PAK
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.