Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
SQM110N05-06L_GE3, Транзистор, N канал 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263
620037760
Структура N-канал
Корпус TO-263
SQM120N06-3M5L_GE3, полевой транзистор N канал 60В 120A Automotive 3-Pin
955015092
Структура N-канал
SQM120N10-09_GE3, полевой транзистор N канал 100В 120A 3-Pin
551730565
Структура N-канал
SQM200N04-1M1L_GE3, полевой транзистор N канал 40В 200A Automotive 7-Pin(6+Tab)
652487103
Структура N-канал
SQM50N04-4M0L-GE3, Транзистор, N канал 40В 50A Automotive 3-Pin(2+Tab)
2108845595
Структура N-канал
SQM60N06-15_GE3, полевой транзистор N канал 60В 56A Automotive 3-Pin(2+Tab)
510312311
Структура N-канал
SQP120N10-3M8, МОП транзистор, N Канал, 100В 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
45639762
Структура N-канал
Корпус TO-220
SQP50N06-09L_GE3, полевой транзистор N канал 60В 50A 3-Pin TO-220
1073137509
Структура N-канал
Корпус TO-220
SQP90142E_GE3, MOSFET транзистор 200В 78В 5A AEC-Q101 Qualified
569887977
SQS140ENW-T1_GE3, транзистор
964956375
SQS401EN-T1-GE3, транзистор
562066674
SQS414CENW-T1_GE3, МОП транзистор N-канал 60В (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8, 23мОм, 10V, 35мОм,
1319188514
Структура N-канал
Корпус PowerPAK 1212
SQS486CENW-T1_GE3, МОП транзистор N-канал 40В (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 5.1мОм, 10V, 7.3м
1319188517
Структура N-канал
Корпус PowerPAK 1212
SQS660CENW-T1_GE3, МОП транзистор N-канал 60В (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 11.2мОм, 10V, 16м
1409694838
Структура N-канал
Корпус PowerPAK 1212
SQSA12CENW-T1_GE3, МОП транзистор N-канал 100В (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 22мОм, 10V, 25мО
1006410311
Структура N-канал
Корпус PowerPAK 1212
SQSA70CENW-T1_GE3, МОП транзистор N-канал 150В (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 68.5мОм, 10V
1409694844
Структура N-канал
Корпус PowerPAK 1212
SQW33N65EF-GE3, МОП транзистор Е серия с диодом TO-247AD, 109мОм, 10V
1006410317
Корпус TO-247AD
SQW44N65EF-GE3, МОП транзистор Е серия с диодом TO-247AD, 73мОм, 10V
559673624
Корпус TO-247AD
SQW61N65EF-GE3, транзистор
1790778171
SS8550, транзистор SOT323
1571831049
Корпус SOT-323
STA434A, транзистор SDIP10
182201002
STD17NF25, MOSFET NCh 30V 0.0032Ohm 20A MOSFET
197838548
STD2HNK60Z, Транзисторы и сборки MOSFET аналог STD2HNK60Z
2067931969
STD3NK90ZT4, транзистор
1296291013
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 4.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 90
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
STF11NM80, транзистор
53310072
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Температура, С -65...+150
Покзать параметры
STF11NM80, транзистор
1747372692
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Температура, С -65...+150
Покзать параметры
STF22NM60N, транзистор N канал 600А 16А 0,2Ом TO 220FP
256375846
Структура N-канал
Корпус TO-220FP
STP120NF10, полевой транзистор N-канал
187062127
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 10.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 312
Температура, С -55…+175
Покзать параметры
STP13NM60N, Транзисторы и сборки MOSFET
301757004
STP20NM60FP, транзистор TO-220
959599185
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 290
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 45
Температура, С -65...+150
Покзать параметры
STP3N62K3, транзистор TO-220
873637523
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 620
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 2500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 45
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
STP4NB80FP, транзистор TO-220
490220766
Корпус TO-220
STP4NC60FP, транзистор TO220
1506301894
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 2200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Температура, С -65...+150
Покзать параметры
STP4NK60Z, транзистор TO-220F
608809226
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 2000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 70
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
STP4NK60ZFP, транзистор TO-220FP
1554969887
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 2000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 70
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
STP4NK80ZFP, TO-220F
158654740
Корпус TO-220F
STP5NK80ZFP, транзистор TO220-3
1635911974
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 2400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 30
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
STP6NK60ZFP, транзистор TO220
778009851
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 40
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
STP80PF55, [TO-220] MOSFET транзистор
236172007
Корпус TO-220
STP8NK80ZFP, N канал транзистор 800В 6.2А TO-220FP Supermesh
1897160296
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 30
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
STP8NK80ZFP, транзистор MOSFET N канал 800В 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
1453676271
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 30
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
STS3DNE60L, транзистор S0-8
505687298
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 80
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
STW20NM60, транзистор TO-247
1036676692
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 290
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 192
Температура, С -65...+150
Покзать параметры
STW40N95K5, транзистор полевой
1904187181
SUM110P04-05-E3, транзистор P-канал 40-V (D-S) mosfet
80353940
Структура P-канал
SUM110P06-07L-E3, полевой транзистор P-канал 60В 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263
236324268
Структура P-канал
Корпус TO-263
SUM110P06-08L-E3, транзистор
604399451
SUM110P08-11L-E3, транзистор N канал MOSFET D2Pak 80В 11.5mohm @ 10V
1983500183
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 80
Корпус D2Pak
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.