Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
WMO18N55C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 550V
1431184921
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO18N65EM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 650V
1518645330
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO18N70EM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 700V
1210238016
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO22N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
2057213323
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO22N55C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 550V
1881523615
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO25N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
1431184919
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO25N55C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 550V
2057213320
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO26N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
2117821951
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO26N60F2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS F2 600V
1673104258
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO26N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
1296670926
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO26N65F2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS F2 650V
1075982074
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO80R1K0S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 800V
792629557
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO80R1K5S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 800V
1552144447
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO80R480S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 800V
13939496
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO80R720S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 800V
1599198611
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO90R1K1S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
1531941471
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO90R1K5S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
34142469
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO90R1K5S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
369142057
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO90R830S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
12911698
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMP02N90C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 900V
1176738907
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP03N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V
1901726877
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP03N90C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 900V
792629562
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP05N100C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 1000V
772426579
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP05N105C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 1050V
1578995635
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP05N70MM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 700V
450723141
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP05N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V
874210645
Структура N-канал
Корпус TO-251
ULN2003AFWG, драйвер-расширитель на 7 каналов SO16
307800940
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003D1013TR, матрица транзисторов NPN 50В 0.5A SO16
1334305485
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2004ADR, матрица транзисторов Дарлингтона NPN 50В 0,5А SO16
1987387321
ULN2004AN, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, DIP16
86820638
ULN2802A, PDIP18
2036111183
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803A, 18-DIP
784179626
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803A, [SOP-18]; Darlington Transistor Arrays ROHS=ULN2803ADR (TI);=ULN2003A(ON);=ULN2803A(TOSHIB
894407081
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803APG, PDIP18
1540466593
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
198НТ7А, (1990-91г)
858583471
Кол-во, транзисторов 4
Полярность NPN
198НТ7А, (1992-99г)
1514072532
Кол-во, транзисторов 4
Полярность NPN
KID65003AP, Транзисторная сборка (Дарлингтон) (=ULN2003A), [DIP-16]
584741745
Корпус PDIP16
TD62064AP, Транзисторная сборка Darlington NPN 50В 1.5А [DIP-16]
5467762
Iимп. Коллектора, мА 1500
Полярность NPN
Корпус PDIP16
ULN2003A, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, [DIP-16]
912793399
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003AFWG, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА [SO-16]
774250167
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003APG, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, [DIP-16]
297060383
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003D1013TR, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, [SO-16]
610006990
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2004A, Транзистор Дарлингтона 7- NPN 50V 0.5A, [DIP-16]
1065703395
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2004A, Транзисторы и сборки биполярные
1125093249
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2064B, Счетверенный переключатель на транзисторах Дарлингтона, 50В, 1.5А, [DIP-16]
1500265750
Uвх., В 15
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 1500
Кол-во, транзисторов 4
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2068B, Счетверенный переключатель на транзисторах Дарлингтона, 50В, 1.5А, [DIP-16]
1694613645
Uвх., В 15
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 1500
Кол-во, транзисторов 4
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2802A, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В [DIP-18]
605609372
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803A, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]
1976163821
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.