Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
ULN2803APG, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]
653290552
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2804A, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]
490597543
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULQ2003A, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, [DIP-16]
932996498
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…105.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
КР159НТ1Б (90-97Г), Матрица из двух n-p-n транзисторов
1074158675
Кол-во, транзисторов 2
Полярность NPN
КР159НТ1В, Матрица из двух n-p-n транзисторов
1740857103
Кол-во, транзисторов 2
Полярность NPN
КР198НТ1Б, Транзисторная сборка из пяти N-канальных биполярных транзисторов
1095653525
Кол-во, транзисторов 5
КР198НТ5А (90-99Г), Транзисторная сборка, матрица биполярных транзисторов
2058008985
Кол-во, транзисторов 5
159НТ101А, (1990-91г)
1476932719
159НТ1А, (1990-99г)
1910706856
159НТ1В, (1990-97г)
1618100442
162КТ1А, (1990-97г)
380700340
198НТ1А, (1990-99г)
1759260794
ULN2003AD, 16-SOIC
672453737
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003ADR, SOIC16
922345326
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003AFWG
556201361
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003AN, транзистор NPN 50В 0.5A PDIP16
956105205
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…70.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003AN, транзистор Дарлингтона NPN 50В 0.5A PDIP16
1394577870
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…70.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003LVDR
1946972607
ULN2064B, 4-х канальн. мощный ключ Дарлингтона, Iвых=1,5A, U=50В,DIP16.
1882307665
Uвх., В 15
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 1500
Кол-во, транзисторов 4
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803ADWR, SO18-300
691120898
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803ADWR, матрица транзисторов NPN 50в 0,5А SO18
2038470584
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803AFWG, ULN2803AFW без свинца, матрица из транзисторов
255867554
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
BFU530AR, SOT-23 (TO-236AB)
1138134678
BFU550AR, SOT-23 (TO-236AB)
784179624
MGF0918A-03, GaAs FET полевой транзистор , материал - арсенид галия, центральная частота рабочего д
142048593
MGF0920A-03, GaAs FET 1.9GHz 8.3W 30dBm GF-50
1910051899
MGF2445A-01, GaAs FET 12GHz GF-17, СВЧ тразистор
1597581233
MGFC36V5258-51, свч транзистор GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8
875719676
RD20HMF1-101, свч транзистор 900MHz 20W 12.5V ceramic
1778318251
BFP540H6327XTSA1, SOT-343
640236440
BFR92AW, SOT323
940482555
BFS17A,215, биполярный транзистор, NPN, SOT-23 (TO-236AB)
1014589738
ATF-36077-STR
1518947765
BFR540,215, SOT-23
1643474805
BFR93A,215, SOT-23
871633341
BLF2045.112, UHF power LDMOS transistor 30 W (PEP) 12.5 dB
1961728471
PD55015-E, RF POWER transistor POUT = 15W with 14dB gain @ 500MHz / 1V
1855062788
DG120X07T2, Trench FS IGBT, Low Loss , 650V/120A IGBT with Diode
347894824
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 120
Корпус TO-247
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением n-канал с диодом
FGH40N60SMD, IGBT транзистор 600В, 80А, 290Вт TO-247
314915687
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 80
Корпус TO-247
FGH60N60SFDTU, TO-247
1187464151
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Корпус TO-247
FGP20N60UFD, IGBT транзистор 600В, 20A TO-220
1359079150
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20
Корпус TO-220
IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247
65063493
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40
Корпус TO-247
IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 30А, 106Вт до 175гр C TO-247
468348020
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 30
Корпус TO-247
IKFW60N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 50А, 138Вт до 175гр C TO-247
1097735921
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50
Корпус TO-247
IRG4BC40SPBF, IGBT транзистор 600В 31А TO220AB
399798927
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 31
Корпус TO-220AB
IRG4PC30UDPBF, IGBT транзистор 600В 23А 8-60кГц TO247AC
217254119
IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC восстановленное лужение выводов
1734058123
Максимальное напряжение кэ ,В 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 55
Корпус TO247AC
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1,9
Максимальная частота переключения, кГц 30
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением n-канал
Покзать параметры
IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC
2060496344
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.