Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
DGW30N65CTH, IGBT дискрет, 650B, 30A, 187Вт (TO-220)
623324445
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 30
Корпус TO-220
DGW30N65CTL, IGBT дискрет, 650B, 30A, 187Вт (TO-220)
2105558910
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 30
Корпус TO-220
DGW40N120CTH, IGBT дискрет, 1200B, 40A, 500Вт (TO-220)
1073663139
Максимальное напряжение кэ ,В 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40
Корпус TO-220
DGW40N65BTH, IGBT дискрет, 650B, 40A, 250Вт (TO-220)
1429893498
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40
Корпус TO-220
DGW40N65CTH, IGBT дискрет, 650B, 40A, 306Вт (TO-220)
1298989857
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40
Корпус TO-220
DGW40N65CTL, IGBT дискрет, 650B, 40A, 250Вт (TO-220)
1702274384
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40
Корпус TO-220
DGW50N65BTH, IGBT дискрет, 650B, 50A, 300Вт (TO-220)
1026608971
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50
Корпус TO-220
DGW50N65CTH, IGBT дискрет, 650B, 50A, 300Вт (TO-220)
623324444
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50
Корпус TO-220
DGW50N65CTH2A, IGBT дискрет, 650B, 50A, (TO-247-4L)
101527521
DGW50N65CTL1, IGBT дискрет, 650B, 50A, 326Вт (TO-220)
277352951
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50
Корпус TO-220
DGW50N65CTS2A, IGBT дискрет, 650B, 50A, (TO-247-3L)
1464556420
DGW60N65BTH, IGBT дискрет, 650B, 60A, 333Вт (TO-220)
1796382725
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 60
Корпус TO-220
DGW75N65CTL1, IGBT дискрет, 650B, 75A, 395Вт (TO-220)
1440152363
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 75
Корпус TO-220
DGWC50N65CTS2A, IGBT дискрет, 650B, 50A, (TO-247-3L)
301757006
DGZ50N65CTH2A, IGBT дискрет, 650B, 50A, 300Вт (TO-247-4L)
1867840946
DGZ50N65CTS2A, IGBT дискрет, 650B, 50A, 300Вт (TO-247-4L)
1217272768
DGZC50N65CTH2A, IGBT дискрет, 650B, 50A, (TO-247-4L)
705041532
DGZC50N65CTS2A, IGBT дискрет, 650B, 50A, (TO-247-4L)
2023841823
FGH40N60SFDTU, TO-247
2016023675
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Корпус TO-247
FGH40N60SMD, IGBT транзистор, 600В 80А 290Вт TO-247-3
613904604
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Корпус TO-247
FGH60N60SMD, IGBT транзистор
986079969
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Корпус TO-247
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
1673356678
Максимальное напряжение кэ ,В 1200
Корпус TO-264
STGP3NC120HD, IGBT Chip N-CH 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220
1653144806
Максимальное напряжение кэ ,В 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 14
Корпус TO-220
FGH40N60SFDTU, TO-247
1340060069
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Корпус TO-247
FGH40N60SMD, TO-247
936775542
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Корпус TO-247
FGH60N60SFD, IGBT транзистор транзистор 600В, 60А TO-247
1251168254
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 60
Корпус TO-247
FGH60N60SMD, TO-247
1802255952
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Корпус TO-247
FGL40N120ANDTU, TO-264
64554028
Максимальное напряжение кэ ,В 1200
Корпус TO-264
FGW50G60HD, IGBT транзистор тразистор 600В 50А 360Вт TO-247
1477715101
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Корпус TO-247
G20T65D, IGBT транзистор, 650B, 20A, 95Вт (TO-220F) аналог DGF15N65CTL0
1430668461
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20
Корпус TO-220F
G50T65D, IGBT транзистор, 650B, 50A, 280Вт ( TO-3PN) аналог FGH40N60SFDTU
479520835
HGTG20N60B3, IGBT транзистор
1586149973
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40
Корпус TO247AC
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1,8
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением n-канал
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A 20
HGTG20N60B3D, IGBT транзистор
1650911478
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40
Корпус TO247AC
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1,8
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением n-канал с диодом
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A 20
HGTG30N60A4, IGBT транзистор TO247
437904213
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 75
Корпус TO247AC
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1,8
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением n-канал
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A 30
HGTG30N60A4D, IGBT транзистор TO247
1500386561
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 75
Корпус TO247AC
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1,8
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением n-канал с диодом
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A 30
HGTP12N60A4D, TO-220
158655891
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Корпус TO-220
IKW75N65EH5XKSA1, PG-TO-247-3
995686895
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Корпус PG-TO-247-3
IRG4PH50UDPBF, TO-247AC
1601511346
Максимальное напряжение кэ ,В 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45
Корпус TO247AC
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3,7
Максимальная частота переключения, кГц 40
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением n-канал с диодом
Покзать параметры
IXGT16N170A, IGBT транзистор TO-268
40666372
Максимальное напряжение кэ ,В 1700
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 32
Корпус TO-268
IXYH60N90C3
149228649
SGW25N120, IGBT транзистор 1200В 25А TO247
647834940
Максимальное напряжение кэ ,В 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 25
Корпус TO247
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3,1
Максимальная частота переключения, кГц 30
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением n-канал
Покзать параметры
SKW25N120, IGBT транзистор транз.с диодом, 1200В, 25A, TO247
590571846
Максимальное напряжение кэ ,В 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 25
Корпус TO247AC
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3,1
Максимальная частота переключения, кГц 30
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением n-канал с диодом
Покзать параметры
STGP3NC120HD, IGBT Chip N-CH 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
1072362774
Максимальное напряжение кэ ,В 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 14
Корпус TO-220
UTG16N65, IGBT транзистор, 650B, 16A, 33Вт (TO-220F) аналог DGF15N65CTL0
1298214894
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 16
Корпус TO-220F
VBM16I20, IGBT транзистор, 600B, 20A, (TO-220) аналог IRGB20B60PD1PBF
1044032713
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20
Корпус TO-220
VBMB16I30, IGBT транзистор, 600B, 30A, 170Вт (TO-220F) аналог DGF15N65CTL0
267869036
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 30
Корпус TO-220F
VS-100MT060WDF, Силовой модуль, IGBT MODULE 600V 121A 462W MTP
138185413
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 121
Корпус MTP
10A10, выпрямительный диод 1000В, 10А
876020078
Тип диода общего применения
Кол-во диодов 1
Максимальное постоянное обратное напряжение,В 1 000
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А 10
Максимальное импульсное обратное напряжение,В 1 000
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 400
Покзать параметры
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.