Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Электронные компоненты
Кол-во на странице:
WM06DN03D, МОП транзистор мультиканальный Small Signal MOSFET
672697832
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WM06N01M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
672697834
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WM06N03F, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1479266888
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WM06N03G, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1075982361
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WM06N03H, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
269413307
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WM06N03L, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
490101580
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WM06N03M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
2056185521
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WM06N30M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1296670634
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WM06P17MR, МОП транзистор мультиканальный Small Signal MOSFET
1479266884
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WM10N02G, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1652900995
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WM10N02M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
86817054
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 200
WM10N20M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1249616468
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 200
WM10N33M, МОП транзистор мультиканальный Small Signal MOSFET
1652900999
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 330
WM10N35M2, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1479266887
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 350
WM10P20M2, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
490101581
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 200
WM15P10M2, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
269413306
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WM6C61042A, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1055779382
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMAA2N100D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1874875396
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMB014N06HG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345634
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB014N06LG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
551738307
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB017N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
227979554
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB018N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063496
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB021N06HG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022834
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WMB021N06LG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860521
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WMB023N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
934819860
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB025N06HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1358307361
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WMB025N06LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
207776580
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 60
WMB02DN10T1, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1316873612
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMB032N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1034548609
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB034N06HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1269819443
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB034N06LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1338104385
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB03DN06T1, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1673103973
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB040N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2097619274
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB040N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
934819856
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMB042DN03LG2, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
652494855
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB042DN03LG2, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1269819446
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB043N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1034548613
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMB043N10LGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2097619269
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMB048NV6HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1390778972
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB048NV6HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507947
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB048NV6LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2097619271
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB048NV6LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860520
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB049N12HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1269819440
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB050N03LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860522
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB052N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1034548608
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30