Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
WMB35P04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
315439679
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB35P06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1410981942
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMB40N04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
914616881
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB46N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1861320639
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB50P03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
268385511
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB50P04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
268385512
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB510N15HG2*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2097619268
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB52N03T2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1390778969
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB56N04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
651467060
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB58N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
914616883
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB60P02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
894413904
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMB60P03TA, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
894413903
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB690N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
652494859
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB70N04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1317901409
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB70P02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1410981943
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMB80N06TS*, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1338104388
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB80P04TS*, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
671670039
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB81N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
295236697
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB90N02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1338104389
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMB90P03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
315439677
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMC1N40D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
47438902
WMC40N50D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
269413302
WMH4N80D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1296670640
WMH7N65D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1921929566
WMJ020N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345631
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMJ023N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022836
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMJ028N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022837
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMJ10N100D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
355845623
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMJ10N80D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
355845622
WMJ11N150D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1921929565
WMJ12N120, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
47438904
WMJ220N20HG3, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
934819854
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMJ3N120D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1115360510
WMJ3N150D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1874875397
WMJ40N50D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
490101585
WMJ9N150D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1518645038
WMJ9N90D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
854007959
WMJ9N90D1B, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
355845624
WMK014N06HG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
611061107
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK023N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860519
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMK028N10HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
175304968
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK028N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860518
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK030N06HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
652494858
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK030N06LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
107020029
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK037N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
207776577
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK040N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
227979558
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMK043N10HGD, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063500
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK043N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
531535328
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.