Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
WMK80N06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
227979553
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK80N08TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
914616878
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMK90N08TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
2077416292
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMK9N90D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
47438905
WMK9N90D1B, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
450723430
WML030N06HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575994
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WML043N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1459063911
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WML060N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1269819444
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WML071N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2076388495
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WML080N10HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2117822246
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WML099N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
551738304
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WML100N07TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
248182535
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WML10N65D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1652901000
WML10N70D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
672697828
WML10N80D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1921929563
WML115N15HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1034548614
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WML125N12LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1459063914
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WML12N65D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1479266882
WML12N70D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1075982355
WML13N50D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1075982356
WML15N25T2, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
175304975
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WML16N70D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
490101586
WML18N06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
2077416293
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WML20N65D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
2056185527
WML20N70D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1210238316
WML4N100D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1518645037
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WML4N65D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1115360512
WML4N90D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1874875398
WML50P04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1431184926
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WML6N100D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1921929564
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WML6N80D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1518645036
WML6N90D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
450723432
WML7N65D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1296670639
WML9N90D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1613522846
WML9N90D1B, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1115360511
WMLL014N06HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507946
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMLL015N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345632
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMLL017N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1358307363
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMLL020N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2117822250
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMLL020N10HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507949
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMLL020N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575992
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMLL020NV8HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
611061105
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMLL025N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2117822251
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMLL029NV8HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
155101991
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMLL065N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575989
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMLL099N20HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063501
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM014N06HG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2117822248
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM015N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
551738309
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.