Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
WMO80N06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
175304974
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMO80N08TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1317901405
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMO80P04TS*, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
894413902
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMO80P06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1410981941
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMO90N02T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1861320637
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMO90P03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
671670038
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMO96N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
155101997
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMP119N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1358307357
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMQ020N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
249210332
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ023N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1338104387
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ032N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
631264082
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMQ040N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063495
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ048NV6HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
631264084
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ048NV6HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
551738308
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ048NV6LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063498
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ048NV6LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575993
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ050N03LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
207776581
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ050N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
531535332
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMQ052N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
631264081
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ060N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575995
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMQ060N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063497
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ060N08LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063499
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMQ076N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
631264083
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ080N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
175304972
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ090N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1390778970
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMQ098N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1338104386
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ098N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
227979557
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ099N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345636
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMQ099N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
611061103
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMQ10N10TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1794063494
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMQ119N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507943
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMQ125NV6LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1316873610
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ12P10TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1317901413
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMQ140N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
249210331
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ15DN04TS*, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
2076388501
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMQ175N10HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
510304557
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMQ175N10HG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575990
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMQ175N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860525
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMQ175N10LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
611061102
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMQ18P04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1814266468
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMQ20DN06TS, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1673103975
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ20N06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
248182534
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ25P03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1881523619
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ25P04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
651467054
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMQ25P06TS*, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
651467055
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMQ25P06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
295236695
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMQ26NV4T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
155101994
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMQ26P02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1431184924
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.