Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
MG50HF12MIC1, =SKM50GB12T4 Semikron диодный модуль
1425334515
MG50HF12TFC1, IGBT модуль, 1200В, 50А, 288А (C1)
1450871426
MG50HF12TLC1, IGBT модуль, 1200В, 50А, 485Вт (C1)
1854155950
MG50P12E1A, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E1A) = Infineon FP50R12KT4 = FUJI 7MBR50VM120-50 = GD50F
1967186432
MG50P12E2, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E2) = Infineon FP50R12KT4G; = FUJI 7MBR50VN120-50
44872128
MG50P12E2A, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E2) = Infineon FP50R12KT3/E3 = FUJI 7MBR50VB120-50
1610956069
MG600HF12TLE3, IGBT модуль, 1200В, 600A, (C1) =(CRRC) TG600HF12M1-G3A00
2086010851
MG75HF12LEC1, IGBT модуль, 1200В, 75A, 657 Вт (C1) =а Infineon FF75R12RT4; = FUJI 2MBI75VA-120-50
1117927286
MG75HF12TFC1, IGBT модуль, 1200В, 75А, 530Вт (C1)
1681296456
MG75HF12TLC1, IGBT модуль, 1200В, 75А, 530Вт (C1) = GD75HFY120C1S = SKM75GB12T4
874727405
MG75P12E2, IGBT модуль, 1200В, 75A, 476Вт (E2) = Infineon FP75R12KT4; = FUJI 7MBR75VN120-50
448156655
MG75P12E2A, IGBT модуль, 1200В, 75A (E2A) = Infineon FP75R12KT3/E3 = FUJI 7MBR75VB120-50
2014240596
PM150RL1A120, модуль 7 IGBT 1200В 150A 5 поколение L1 серия
536189149
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
PS21964-AT, IGBT модуль 15А 600В
1467652575
SLIMDIP-L#500, DIPIPM модуль на 600В
2021046683
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
TD330N16AOF
1446671441
TIM2400NSM17-TSA000, IGBT модуль корпус 140х130 2400А 1700В
1369667776
TIM750ASM65-PSA011, IGBT модуль 750А 6500В
1342131067
Макс.напр.к-э,В 6500
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 750
XNS25S12FT, IPM, замена для PSS10S72FT , PSS25S73FT
299817269
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
XNS50S12E6, IPM IGBT 600V 50A DIP29
804888003
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
YMIBD800-17, IGBT модуль замена TIM800DDM17-PSA000
522562772
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
2MBI150U4A-120-50, IGBT модуль
1369902611
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
2MBI200NK-060-01, IGBT модуль
579771777
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
5SNG1000X170300, 1700V 2 x 1000A
845040474
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 000
7MBR10SA120, модуль 7 IGBT 1200В 10A S серия
198734055
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
7MBR15SA120, модуль 7 IGBT 1200В 15A S серия
1578531304
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
7MBR25SA-120-50, модуль 7 IGBT 1200В 25A
1875729060
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
7MBR25SA-120-50,7, IGBT модуль 1200В 25A
429059494
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
7MBR25SA120, модуль 7 IGBT 1200В 25A S серия
1059377777
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
BIP120035
97586437
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 35
CM1000DU-34NF#301, IGBT модуль 1700В 1000A
361682058
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 000
CM1000DUC-34NF, модуль 2 IGBT 1700В 1000A 5 поколение NF серия
912670304
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 000
CM1000DUC-34SA, модуль 2 IGBT 1700В 1000A 6 поколение, замена CM1000DU-34NF
1440315045
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 000
CM1000E3U-34NF, IGBT модуль 1700В 1000A 5 поколение NF серия
1139702260
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 000
Защита от перегрева нет
Структура модуля чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
CM1000HA-24H, модуль 1 IGBT 1200В 1000A 3 поколение H серия
1800656470
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 000
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,5
Покзать параметры
CM1000HC-66R, IGBT модуль
124436547
Макс.напр.к-э,В 3300
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 000
CM1000HC-66R, IGBT модуль
1240181794
Макс.напр.к-э,В 3300
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 000
CM100DU-12F, модуль 2 IGBT RTC 600В 100A 4 поколение F серия
839986562
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,6
Покзать параметры
CM100DU-12H, модуль 2 IGBT 600В 100A 3 поколение U серия
540252036
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,4
Покзать параметры
CM100DU-24H, модуль 2 IGBT 1200В 100A 3 поколение U серия
1668344743
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
CM100DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 100А NFH серия
53625151
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 5
Покзать параметры
CM100DU-34KA, модуль 2 IGBT 1700В 100A KA серия
1466314136
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3,2
Покзать параметры
CM100DUS-12F, модуль 2 IGBT 600В 100A 50кГц NFH серия
1241122162
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2
Покзать параметры
CM100DY-13T, IGBT модуль T серия STD типа 650В 100А, pin to pin замена CM100DY-12H
185875127
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 650
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Структура модуля полумост
CM100DY-24A, модуль 2 IGBT 1200В 100A 5 поколение A серия, замена CM100DU-24F
1292554233
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM100DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 100A 5 поколение NF серия (замена CM100DY-24A)
1234314712
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,8
Покзать параметры
CM100DY-24T#300G, модуль IGBT T-Series STD-Type 1200V
39467345
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 200
Структура модуля полумост
CM100DY-28H, модуль 2 IGBT 1400В 100A 3 поколение H серия
966397199
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1400
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3,1
Покзать параметры
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.