Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
CM100DY-34A, модуль 2 IGBT 1700В 100A 5 поколение A серия
884006376
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 24,7 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 960 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 3500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 150 |
CM100DY-34T, IGBT модуль T серии стандартного типа 1700В
2123148366
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Структура модуля | полумост |
CM100E3U-12F, IGBT модуль RTC 600В 100A 4 поколение F серия
240761785
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 27 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 350 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
CM100E3U-12H, IGBT модуль 600В 100A 3 поколение U серия
183709986
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 8,8 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 400 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 250 |
CM100E3U-24F, IGBT модуль RTC 1200В 100A 4 поколение F серия
1067577040
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 39 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 500 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,9 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM100E3U-24H, IGBT модуль 1200В 100A 3 поколение U серия
674002247
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 15 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 650 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
CM100MX-12A, IGBT модуль 3 100A 600В NX5
1231020881
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
CM100RL-12NF, модуль 7 IGBT 600В 100A 5 поколение NF серия
1114262470
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 15 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 540 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM100RL-24NF, модуль 7 IGBT 1200В 100A 5 поколение NF серия
1983868144
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 17,5 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 620 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 70 |
CM100RX-24S, модуль 7 IGBT 100A 1200В NX6
2067500031
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
CM100TF-24H, модуль 6 IGBT 1200В 100A 3 поколение H серия
1083435145
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 20 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 780 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,25 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 350 |
CM100TF-28H, модуль 6 IGBT 1400В 100A 3 поколение H серия
1269880711
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1400 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 20 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 780 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6,5 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 400 |
CM100TJ-12F, модуль 6 IGBT RTC 600В 100A 4 поколение F серия
825908139
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 27 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 290 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
CM100TJ-24F, модуль 6 IGBT RTC 1200В 100A 4 поколение F серия
1561726750
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 39 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 390 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,3 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 50 |
CM100TL-12NF, модуль 6 IGBT 600В 100A 5 поколение NF серия
1811206634
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 15 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 540 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM100TL-24NF, модуль 6 IGBT 1200В 100A 5 поколение NF серия
388069477
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 17,5 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 620 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 75 |
CM100TU-12F, модуль 6 IGBT RTC 600В 100A 4 поколение F серия
250534638
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 27 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 350 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM100TX-24S, модуль 6 IGBT 100A 1200В NX6
1920145524
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
CM10YE13-12H, IGBT модуль 3 10A 600В
1281922924
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 10 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 20 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM110YE4-12F, IGBT модуль 3 110A 600В
2115596364
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 110 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Драйвер управления | внешний |
| Покзать параметры | |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 220 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM1200DA-34X, модуль IGBT 1700V 1200A
1395730823
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
CM1200DC-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A
240231365
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
CM1200DC-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A
2070002400
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,15 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 176 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 6 500 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 400 |
CM1200E4C-34N, IGBT модуль 1700В 1200A
1426962945
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,15 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 176 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 6 500 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 400 |
CM1200HA-34H, модуль 1 HV-IGBTна 1700В 1200A
2059842357
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,75 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 140 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 13 800 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 5,5 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,4 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1500 |
CM1200HB-50H, модуль 1 IGBT 2500В 1200A
2098066424
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 2500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 180 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 15 600 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 6000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,5 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 2000 |
CM1200HC-50H, модуль 1 IGBT 4500В 1200A
993526731
| Макс.напр.к-э,В | 4500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
CM1200HC-66H, модуль 1 IGBT 3300В 1200A
1179475961
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 3300 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,3 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 180 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 14 700 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 6000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
CM1200HCB-34N, модуль 1 IGBT 1700В 1200А
1194659276
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
CM1200HG-66H, модуль 1 IGBT 3300В 1200A
1122464680
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 3300 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,3 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 180 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 12 500 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 10200 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
CM1400DUC-24NF, модуль IGBT MPD, 5th gen. на 1200 Вольт
2145489588
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
CM1400DUС-24S, модуль 2 IGBT 1200В 1400A 6 поколение NF серия
640197704
| Макс.напр.к-э,В | 1400 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
CM1400E3U-24NF, IGBT модуль 1200В 1400A 5 поколение NF серия
615441826
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Драйвер управления | внешний |
| Покзать параметры | |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2800 |
CM150DU-12F, модуль 2 IGBT RTC 600В 150A 4 поколение F серия
220242083
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 41 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 520 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM150DU-12H, модуль 2 IGBT 600В 150A 3 поколение U серия
1691429562
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 13,2 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 600 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 350 |
CM150DU-24F, модуль 2 IGBT RTC 1200В 150А 4 поколение F серия
944012668
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 59 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 600 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,9 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
CM150DU-24H, модуль 2 IGBT 1200В 150A 3 поколение U серия
747911794
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 22 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 890 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 250 |
CM150DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 150A 50кГц NFH серия
643862743
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 60 |
| Входная емкость затвора,нФ | 24 |
| Драйвер управления | VLA513 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 960 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 5 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 150 |
CM150DUS-12F, модуль 2 IGBT 600В 150A 50кГц NFH серия
1628659969
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 60 |
| Входная емкость затвора,нФ | 41 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM150DX-24S, модуль 6 IGBT 150A 1200В 6 поколение NX серия
439600376
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
CM150DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 150A 5 поколение NF серия
1629924799
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 23 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 590 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM150DY-24A, модуль 2 IGBT 1200В 150А 5 поколение A серия
298550898
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 23 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 960 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM150DY-24H, модуль 2 IGBT 1200В 150A 3 поколение H серия
1493001899
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 30 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 100 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,25 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 350 |
CM150DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 150A 5 поколение NF серия
913808673
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 30 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 780 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
CM150DY-34A, модуль 2 IGBT 1700В 150A 5 поколение A серия
249893493
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 37 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 600 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Напряжение изоляции, В | 3500 |
CM150DY-34T#300G, IGBT модуль T серия STD типа
1759102823
| Макс.напр.к-э,В | 1500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
Страницы:
123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263646566676869707172737475767778798081828384858687888990919293949596979899100101102103104105106107108109110111112113114115116117118119120121122123124125126127128129130131132133134135136137138139140141142143144145146147148149150151152153154155156157158159160161162163164165166167168169170171172173174175176177178179180181182183184185186187188189190191192193194195196197198199200201202203204205206207208209210211212213214215216217218219220221222223224225226227228229230231232233234235236237238239240241242243244245246247248249250251252253254255256257258259260261262263264265266267268269270271272273274275276277278279280281282283284285286287288289290291292293294295296297298299300301302303304305306307308309310311312313314315316317318319320321322323324325326327328329330331332333334335336337338339340341342343344345346347348349350351352353354355356357358359360361362363364365366367368369370371372373374375376377378379380381382383384385386387388389390391392393394395396397398399400401402403404405406407408409410411412413414415416417418419420421422423424425426427428429430431432433434435436437438439440441442443444445446447448449450451452453454455456457458459460461462463464465466467468469470471472473474475476477478479480481482483484485486487488489490491492493494495496497498499500501502503504505506507508509510511512513514515516517518519520521522523524525526527528529530531532533534535536537538539540541542543544545546547548549550551552553554555556557558559560561562563564565566567568569570571572573574575576577578579580581582583584585586587588589590591592593594595596597598599600601602603604605606607608609610611612613614615616617618619620621622623624625626627628629630631632633634635636637638639640641642643644645646647648649650651652653654655656657658659660661662663664665666667668669670671672673674675676677678679680681682683684685686687688689690691692693694695696697698699700701702703704705706707708709710711712713714715716717718719720721722723724725726727728729730731732733734735736737738739740741742743744745746747748749750751752753754755756757758759760761762763764765766767768769770771772773774775776777778779780781782783784785786787788789790791792793794795796797798799800801802803804805806807808809810811812813814815816817818819820821822823824825826827828829830831832833834835836837838839840841842843844845846847848849850851852853854855856857858859860861862863864865866867868869
