Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Электронные компоненты
Кол-во на странице:
CM150RL-12NF, модуль 7 IGBT 600В 150A 5 поколение NF серия
993521902
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Покзать параметры
CM150RL-24NF, модуль 7 IGBT 1200В 150A 5 поколение NF серия
140844598
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM150RX-24S, модуль 7 IGBT 150A 1200В NX6
2006147060
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
CM150RX-24T#300G, IGBT модуль T серия NX типа 1200В
2018623197
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
CM150TL-12NF, модуль 6 IGBT 600В 150A 5 поколение NF серия
1081057455
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Покзать параметры
CM150TL-24NF, модуль 6 IGBT 1200В 150A 5 поколение NF серия
612997591
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM150TU-12F, модуль 6 IGBT RTC 600В 150A 4 поколение F серия
98354664
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,6
Покзать параметры
CM150TX-24S, модуль 6 IGBT 150A 1200В NX6
850258435
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
CM150TX-24T#300G, модуль IGB T-Series NX-Type
690063871
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
CM150TX-24T#300G, модуль IGB T-Series NX-Type
1136842735
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
CM150TX-24T#330G, модуль IGB T-Series NX-Type
176075642
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
CM150TX-34T#310G, IGBT модуль T серия NX типа
569578981
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
CM15YE13-12H, IGBT модуль 3 15A 600В
378875886
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM1600HC-34H, IGBT модуль 1700В 1600A
429425678
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,6
Покзать параметры
CM165YE4-12F, IGBT модуль 3 165A 600В
1376625998
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 165
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом
Драйвер управления внешний
Покзать параметры
CM1800HC-34H, модуль 1 IGBT 1700В 1800A
21626602
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 800
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,4
Покзать параметры
CM1800HC-34N, модуль 1 IGBT 1700В 1800A
1107707755
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 800
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,4
Покзать параметры
CM200DU-12H, модуль 2 IGBT 600В 200A 3 поколение U серия
424288451
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
CM200DU-12NFH, модуль 2 IGBT 600В 200A 50кГц NFH серия
882529888
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2
Покзать параметры
CM200DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 200A 50кГц NFH серия
651473778
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
CM200DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 200A 50кГц NFH серия
1502840906
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 5
Покзать параметры
CM200DX-24S, модуль 2 IGBT 200A 1200В NX6
724984718
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
CM200DX-34SA, модуль 2 IGBT 200A 1700В NX6
542085933
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
CM200DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 200A 5 поколение NF серия, замена CM200DY-12H
1267862704
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
CM200DY-24A#300G, модуль 2 IGBT 1200В 200A 5 поколение A серия
520476043
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM200DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 200А 5 поколение NF серия
1205604117
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,8
Покзать параметры
CM200DY-34A, модуль 2 IGBT 1700В 200A 5 поколение A серия
524310778
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,2
Покзать параметры
CM200DY-34T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1700В
193018882
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
CM200E3U-12H, IGBT модуль 600В 200A 3 поколение U серия
21205830
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля чоппер с диодом
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,4
Покзать параметры
CM200E3U-24F, IGBT модуль RTC 1200В 200A 4 поколение F серия
1092380463
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля чоппер с диодом
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,8
Покзать параметры
CM200RL-12NF, модуль 7 IGBT 600В 200A 5 поколение NF серия
1633672435
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Покзать параметры
CM200RL-24NF, модуль 7 IGBT 1200В 200А 5 поколение NF серия
732821541
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM200RXL-24S, IGBT модуль NX6 серия 1200
190417236
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
CM200TL-12NF, модуль 6 IGBT 600В 200A 5 поколение NF серия
1693321348
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Покзать параметры
CM200TL-24NF, модуль 6 IGBT 1200В 200A 5 поколение NF серия
2122359461
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM200YE4-12F, IGBT модуль 3 200A 600В
1496479966
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом
Драйвер управления внешний
Покзать параметры
CM225DX-34T#311G, модуль IGBT T-Series NX-Type 1700V
2069725982
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 225
CM2400HC-34H, модуль 1 IGBT 1700В 2400A
1688595878
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 2 400
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,6
Покзать параметры
CM2400HC-34N, модуль 1 IGBT 1700В 2400A
1153033342
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 2 400
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,15
Покзать параметры
CM2400HCB-34N, модуль 1 IGBT 1700В 2400A
539654719
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 2 400
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM25YE13-12H, IGBT модуль 3 25A 600В
12170294
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
CM300DU-12NFH, модуль 2 IGBT 600В 300A 50кГц NFH серия
1315010713
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2
Покзать параметры
CM300DU-24H, модуль 2 IGBT 1200В 300A 3 поколение U серия
393435373
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
CM300DU-24NFH#300G, модуль 2 IGBT 1200В 300A NFH серия
1567996815
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 5
Покзать параметры
CM300DX-12A, IGBT модуль NX5 серия 600В
1377405937
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 12
CM300DX-24S, модуль 2 IGBT 300A 1200В NX6
776889582
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
CM300DX-24S1, IGBT модуль на 300A 1200В, серия NX6.1
1917866816
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
CM300DX-24T#300G, модуль на 300 Ампер 1200 Вольт
631012340
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300