Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Электронные компоненты
Кол-во на странице:
CM50RL-24NF, модуль 7 IGBT 1200В 50A 5 поколение NF серия
1658990362
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 20
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM50TF-12H, модуль 6 IGBT 600В 50A H серия 3 поколение
284941379
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM50TF-24H, модуль 6 IGBT 1200В 50A 3 поколение H серия
892077605
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,5
Покзать параметры
CM50TL-24NF, модуль 6 IGBT 1200В 50A 5 поколение NF серия
1570281184
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM50TU-24F, модуль 6 IGBT RTC 1200В 50A 4 поколение F серия
2104135933
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,8
Покзать параметры
CM50YE13-12H, IGBT модуль 3 50A 600В
932615524
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
CM600DU-24F, модуль 2 IGBT RTC 1200В 600A 4 поколение F серия
698557337
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,95
Покзать параметры
CM600DU-24NF 2016, модуль 2 IGBT 1200В 600A 5 поколение NF серия
285654389
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
CM600DU-24NF#300G, модуль 2 IGBT 1200В 600A 5 поколение NF серия
1260189336
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,95
Покзать параметры
CM600DU-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 600A 5 поколение NF серия
723737474
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
CM600DU-5F, модуль 2 IGBT RTC 250В 600A 4 поколение F серия
1110510324
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 250
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,2
Покзать параметры
CM600DX-24S1, модуль 2 IGBT 600A 1200В NX6.1 серия
2042460631
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
CM600DX-24T, IGBT модуль 600А 1200В T серия NX типа
248189258
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
CM600DX-24T, IGBT модуль 600А 1200В T серия NX типа
223945256
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
CM600DX-34T #300G, IGBT модуль, 1700В, 600А, 175С (DX)
1722470831
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
CM600DX-34T, IGBT модуль 600A 1700 Вольт T-серии
1703591066
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
CM600DX-34T, IGBT модуль 600А 1700В Т-серии
1032313310
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM600DXL-24S, модуль 2 IGBT 600A 1200В NX6
203106561
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
CM600DXP-24T, IGBT модуль T1 серия NX типа 1200В
917899077
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
CM600DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 600A 5 поколение NF серия
584007651
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Покзать параметры
CM600DY-24A, модуль 2 IGBT 1200В 600A 5 поколение A серия
1385558714
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM600DY-24S, модуль 1200В 600A
744292569
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
CM600DY-24T, IGBT модуль T серия STD типа 600 A 1200 В
1692505047
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM600DY-34H, модуль 2 IGBT 1700В 600A
1106447268
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
CM600E2Y-34H, IGBT модуль 1700В 600A
902236989
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля чоппер с диодом
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,75
Покзать параметры
CM600HA-24A#300G, модуль 1 IGBT 1200В 600A 5 поколение A серия
459732493
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
CM600HA-24A, модуль 1 IGBT 1200В 600A 5 поколение A серия
1368492087
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM600HA-5F, модуль 1 IGBT 250В 600A 4 поколение F серия
1374394210
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 250
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,2
Покзать параметры
CM600HB-24A, модуль 1 IGBT 1200В 600A 5 поколение A серия
398306584
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM600HB-90H, модуль 1 IGBT 4500В 600A
1526379952
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 4500
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3
Покзать параметры
CM600HG-130H, модуль 1 IGBT 6500В 600A
1765747514
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 6500
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 5,1
Покзать параметры
CM600HU-12H, модуль 1 IGBT 600В 600A 3 поколение U серия
1377407729
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,4
Покзать параметры
CM600HX-24A, IGBT модуль 600A 1200В 5 поколение NX серия
308089929
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
CM600YE2N-12F, IGBT модуль 3 600A 600В
15793147
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц 1,6
Покзать параметры
CM600YE2P-12F, IGBT модуль 3 600A 600В
2087363637
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом
Драйвер управления внешний
Покзать параметры
CM750HG-130R#301, HV-IGBT/6500V High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor
825741764
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 750
CM75BU-12H, IGBT модуль 600В 75A 3 поколение U серия
1661102958
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
CM75DU-24H, модуль 2 IGBT 1200В 75A 3 поколение U серия
2054882302
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
CM75DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 75A 5 поколение NF серия
1224441492
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
CM75DY-34T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1700В
1099702109
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
CM75E3U-24F, IGBT модуль RTC 1200В 75A 4 поколение F серия
1922069270
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева нет
Структура модуля чоппер с диодом
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,8
Покзать параметры
CM75E3U-24H, IGBT модуль 1200В 75A 3 поколение U серия
1223239903
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева нет
Структура модуля чоппер с диодом
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
CM75MX-12A, IGBT модуль 75A 600В NX5
858618982
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
CM75MX-24A, IGBT модуль 1200В NX5
1159200586
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 24
CM75MXA-24S, IGBT модуль
1605591445
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
CM75RL-12NF, модуль 7 IGBT 600В 75A 5 поколение NF серия
1906478207
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Покзать параметры
CM75RL-24NF, модуль 7 IGBT 1200В 75A 5 поколение NF серия
807229161
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM75RX-24S, модуль 7 IGBT 75A 1200В серия NX6
1014493754
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75