Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
GD800HFX170A3S, Силовой Модуль, 800 A, 1700 V, аналог FF800R17KP4_B2
133611928
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
GD800HFX170C3S, Trench FS IGBT, Low Loss, аналог для CM800DZ-34H
196552206
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
GD800HFY120C3S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
159678155
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
GD800HTX65P4S, Trench FS IGBT, Low Loss
55389700
Макс.напр.к-э,В 650
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
GD800SGX170C3S, Trench FS IGBT, Low Loss
1369531735
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
GD80TLQ120F1S, Advanced Trench FS Fast IGBT
1580016775
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 80
GD820HTX75P6HB, Trench FS IGBT, Low Loss
458674227
Макс.напр.к-э,В 750
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 820
GD820HTX75P6HL, Trench FS IGBT, Low Loss PTP FS820R08A6P2LB, TG820FF08S3-S4A21
1107409714
Макс.напр.к-э,В 750
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 820
GD900CLY120P1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
956067093
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 900
GD900CUY120P1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
966247208
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 900
GD900HFA120C6S, 1200V/900A 2 in one-package
1609463527
GD900HFY120P1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
1762636147
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 900
GD900SGU120C3SN, NPT Ultra Fast IGBT
1772816262
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 900
GD900SGX120C2SA_B20, 1200V/900A 1 in one-package
1119419828
GD900TLY120P2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
1359351620
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 900
GD950HTX75P6HB, Trench FS IGBT, Low Loss
347894827
Макс.напр.к-э,В 750
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 950
GD950HTX75P6HLB, Trench FS IGBT, Low Loss
1913978768
Макс.напр.к-э,В 750
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 950
J1BCP78042A, IGBT модуль
2124764888
J1BWJA, IGBT модуль
2124764886
MBM1000FS17G, IGBT модуль 1700В 1000А
127216995
MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V
438711769
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
MD120HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge
1772816257
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 120
Структура модуля полумост
MD13HTC120P6HE, SiC MOSFET
1265243281
MD200HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge
206732316
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Структура модуля полумост
MD22HTC120P6HE, SiC MOSFET
1218189114
MD29HTC120P6HE, SiC MOSFET
1510694241
MD300HFC170C2S, SiC MOSFET Half Bridge
159678149
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
MD300HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge
1369531729
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
MD400HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge
196552212
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
Структура модуля полумост
MEK350-02DA, IGBT модуль 200В 365A 150нс
976400730
Макс.напр.к-э,В 200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 365
PM100RL1A120, модуль 7 IGBT 1200В 100A 5 поколение L1 серия
1070116928
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,55
Покзать параметры
PM100RSD060, модуль 7 IGBT 600В 100А 4 поколение S серия
1810914424
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Покзать параметры
PM10CSJ060, модуль 6 IGBT 600В 10A 3 поколение S серия
407366138
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,8
Покзать параметры
PM150CL1A120, модуль 6 IGBT 1200В 150A 5 поколение L1 серия
1802361045
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
PM150CSD120, модуль 6 IGBT 1200В 150A 4 поколение S серия
867817620
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,4
Покзать параметры
PM150RL1A120, 7 IGBT 1200V 100A 5-gen (L1-Series)
1669077088
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
PM150RL1A120, модуль 7 IGBT 1200В 150A 5 поколение L1 серия
729480804
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,55
Покзать параметры
PM150RSE120, модуль 7 IGBT 1200В 150A 4 поколение S серия
922692140
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,4
Покзать параметры
PM200CL1A060, IGBT модуль 350G L1серия
846958119
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
PM200CLA060, модуль 6 IGBT 600В 200A 5 поколение L серия
2013682808
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,5
Покзать параметры
PM200CLA120, модуль 6 IGBT 1200В 200A 5 поколение L серия
1424732841
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,9
Покзать параметры
PM200CSD060, модуль 6 IGBT 600В 200А 4 поколение S серия
1274332059
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
PM200DSA120, IGBT модуль
1747453028
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
PM200RSD060, модуль 7 IGBT 600В 200A 4 поколение S серия
2021382202
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Покзать параметры
PM25CL1A120, модуль 6 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
184313951
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
PM25RL1A120#350G, IGBT модуль 350G 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
802124845
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,85
Покзать параметры
PM25RL1B120 #350, модуль 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
1220332739
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
PM25RL1B120, модуль 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
2096738821
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.