Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
МикросхемыТранзисторыДиоды, стабилитроны, варикапыТиристорыПолупроводниковые модулиРезисторыКонденсаторыустройства защитыПредохранителиКомпоненты подавления ЭМПРезонаторы, генераторы и фильтрыТрансформаторы, дросселиФерриты, сердечникиАкустические компонентыБеспроводные системы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
PS21454-E, IGBT модуль 600В 1Ф 0.75кВт 15кГц
1264250073
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,8
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Покзать параметры
PS21767, IGBT модуль 4 версия 600В 30A 20кГц
14048724
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 30
PS21961-4T, IGBT модуль 4 версия 600В 3A 20кГц
1106692124
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 3
PS21962-4S, IGBT модуль 4 версия 600В 5A 20кГц
820341085
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
PS21965-4, IGBT модуль 4 версия 600В 20A 20кГц
1111802563
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 20
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
PS21997-4, IGBT модуль 4 версия 600В 30A 20кГц
684765455
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 20
PS21997-T, IGBT модуль 4 версия 600В 30A 20кГц
1146964779
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 30
PS219B4-CST, IGBT модуль 15 А 600В 5 версия
483806518
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 30
PS21A79, IGBT модуль 4 версия 600В 50А
781886341
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
PS22052, IGBT модуль 1200В 0.4кВт 5А 15кГц
471397335
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,7
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Покзать параметры
PS22053, IGBT модуль 1200В 0.75кВт 10А 15кГц
420422512
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,7
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Покзать параметры
PS22054, IGBT модуль 1200В 2.2кВт 15А 15кГц
347870991
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,7
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Покзать параметры
PS22A72, IGBT модуль 4 версия 1200В 5А
1771396485
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Структура модуля 3-фазный мост
Драйвер управления встроенный
Защита от короткого замыкания есть
Покзать параметры
PS22A73, IGBT модуль 4 версия 1200В
1770012134
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
PS22A74, IGBT модуль 15A 1200В 4 версия
1333814078
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
Структура модуля 3-фазный мост
Драйвер управления встроенный
Защита от короткого замыкания есть
Покзать параметры
PS22A76, IGBT модуль 4 версия 1200В 25А
1949786607
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Структура модуля 3-фазный мост
Драйвер управления встроенный
Защита от короткого замыкания есть
Покзать параметры
PS22A78-E, IGBT модуль 1200В 35А версия 4
895873901
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 35
Структура модуля 3-фазный мост
Драйвер управления встроенный
Защита от короткого замыкания есть
Покзать параметры
PS22A79, DIPIPM Ver. 4, Large DIP
1463294242
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 35
PS51277-AP, модуль 2 IGBT 600В 15А
436478408
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль с ККМ
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 30
Структура модуля 2 транзистора+2 диода
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
PS61767-V, IGBT модуль 600В 30А
1669319544
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 30
PS61869-VP, IGBT модуль 600В 50А
89572463
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
PSS10S72FT, PSS10S72FT
53149091
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
PSS10SA2FT, IGBT модуль 6 версия
879920456
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
PSS15S92E6-AG, IGBT модуль 15A 600В 6 версия
2031300516
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
PSS15S92F6-AG, IGBT модуль 15A 600В 6 версия
1903403796
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
PSS25S73FT, Модуль 1200В 25А DIPIPM
762362523
PSS50SA2FT, IGBT модуль 1200V/50A 6th generation IGBT
666336646
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 200
PSS75SA2FT, IGBT модуль 1200В 6 версия
2109600876
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
QM50HA-H, IGBT модуль
347862302
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
SEMiX202GB12E4s, IGBT модуль
443453122
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
SEMIX202GB12VS, IGBT модуль
328343698
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
SEMIX302GB066HDS, IGBT модуль
447970203
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
SEMIX302GB176HDS, IGBT модуль
1085238144
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
SEMIX302GB176HDS, IGBT модуль
407832029
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
SKIIP11NAB063T1, модуль 7 IGBT 600В 17А
1823953400
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 17
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
SKM100GAL123D, IGBT модуль 1200В 100А
1232956961
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
SKM100GB125DN, IGBT модуль
852149730
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
SKM100GB12T4, IGBT модуль 1200В 100А 4 поколение
1643447286
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
SKM100GB176D, IGBT модуль
2009537074
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
SKM150GB12T4G, IGBT модуль
2124890639
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
SKM200GAR123D, модуль 1 IGBT 200А
718056116
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Структура модуля 1 транзистор+диод
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,5
Входная емкость затвора,нФ 10
Покзать параметры
SKM400GB066D, IGBT модуль
2056591240
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 500
SKM75GB123D, IGBT модуль 1200В 75А
1774439538
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
TG1400HF12H1-S300, IGBT модуль
1792469761
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 400
TG1400HF17H1-S300, IGBT модуль
226385820
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 400
TG450HF17M1-S300, IGBT модуль
1488804417
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
TG600HF17M1-S300, IGBT модуль
1339698121
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
TG650HF17H2-S300, IGBT модуль
1389185234
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 650
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.