Производитель: Infineon

| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 75 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2,35 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 150 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Мощность макс.,Вт | 390 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 45 |
Благодаря втрое меньшей толщине кристалла и более чем вдвое более высокой удельной плотности тока IRGP50B60PD1PBFобеспечивают гораздо более высокий ток и лучшие тепловые характеристики при равной с мощными полевыми транзисторами площади кристалла. При этом транзистор IRGP50B60PD1PBF, как и мощные МОП-транзисторы, обладают одной из важных положительных особенностей - самовыравниванию токов в транзисторах при параллельном соединении благодаря положительному тепловому коэффициенту сопротивления канала.
IGBT транзистор является отличной альтернативой 50-60 А МОП-транзисторам по критерию качество/цена.
-
Через корзину на сайте
-
Отправкой сообщения на email: region.virta@gmail.com
-
По телефону +7 (495) 923-18-19
-
Мы предоставляем гарантию на все продаваемые компоненты в соответствии с законодательством Российской Федерации. В случае обнаружения дефектов или несоответствия товара, клиент может обратиться к нам для замены или возврата товара.
-
Согласовывается индивидуально с каждым Заказчиком
-
Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.
-
Самовывоз г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404
-
Доставка осуществляются по всей территории России

