Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
RS65R190F, N-канал полевой транзистор, 650В, 20 A, TO-220F, IPA60R180P7S?CRJF190N65GC
1291301790
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Корпус | TO-220F |
RSF60R026W, N-канал полевой транзистор , 600В, 100A, 20 мОм, TO-247-3L
566197031
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Корпус | TO-247-3 |
SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]= SI2308BDS-T1-GE3
622675318
SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236]
= SI2319CDS-T1-GE3
575621151
STP5NK80ZFP, транзистор TO220
787452622
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 2400 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | TO-220FP-3 |
| Особенности | SuperMesh |
STW8NK80Z, транзистор TO247
1971290062
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | TO-247-3 |
VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF
339007542
| Структура | N&P-канал |
| Корпус | SOIC-8 |
VS-FA57SA50LCP, транзистор N канал 500В 57А SOT227
2136891919
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Корпус | SOT-227 |
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
268385504
| Структура | N-канал |
| Корпус | DPAK (TO-252AA) |
YJB150N06BQ, [TO-263] MOSFET транзистор N-канальный 60В 150А
2052152216
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-263 |
YJB70G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 70А, 125Вт [TO-263]
1775398315
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-263 |
YJD15N10A, MOSFET транзистор N-канальный 100В 15А [TO-252]
1222499262
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
YJD212030NCTGH, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния,
1200B, 78A, 220В
1185976025
| Структура | N-канал |
YJD212040NCFG1, N-канал транзистор SiC 1200В 63А, 300Вт TO247-4L (=C3M0065090D C3M0075120K)
1345402455
YJD212040NCTG1, N-канал транзистор SiC 1200В 63А 300Вт TO247AB (=C3M0065090D C3M0075120K)
TO247-2
694451783
YJD212080NCFG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния,
1200B, 39A, 223В
389344434
| Структура | N-канал |
YJD60N02A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 60А (TO-252-B)
1458814764
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252-B |
YJD65G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 65А, 96Вт [TO-252]
1309715401
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
YJD65G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 65А, 96Вт [TO-252]
2107051903
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
YJG110G08HR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 80В, 110А, 125Вт(PDFN5060)
1145299269
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG20N06A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 21Вт [PDFN5060]
819214735
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG53G06A, N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 53А [DFN5X6]
486068272
| Структура | N-канал |
| Корпус | DFN5x6 |
YJG60G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 60А, 88Вт [PDFN5060-8L]
= FDMS86
1034794590
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060-8L |
YJG60G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 60А, 88Вт [PDFN5060]
= DMS86101
1794309477
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG60G15HJ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 150В, 60А, 125Вт [PDFN5060]
429234542
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG70G06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 70А, 70Вт (PDFN5060)
1210748311
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG80G06A, N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 80А [DFN5X6]
129837915
| Структура | N-канал |
| Корпус | DFN5x6 |
YJG85G06AK, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 85А, 110Вт [PDFN5060]
1775398320
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG90G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 90А, 120Вт [PDFN
5X6] = FDMS8615
175058991
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN 5x6 |
Страницы:
123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263646566676869707172737475767778798081828384858687888990919293949596979899100101102103104105106107108109110111112113114115116117118119120121122123124125126127128129130131132133134135136137138139140141142143144145146147148149150151152153154155156157
