Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]= SI2308BDS-T1-GE3622675318
SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236]
= SI2319CDS-T1-GE3575621151
YJD212030NCTGH, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния,
1200B, 78A, 220В1185976025
YJD212040NCFG1, N-канал транзистор SiC 1200В 63А, 300Вт TO247-4L (=C3M0065090D C3M0075120K)1345402455
YJD212040NCTG1, N-канал транзистор SiC 1200В 63А 300Вт TO247AB (=C3M0065090D C3M0075120K)
TO247-2694451783
YJD212080NCFG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния,
1200B, 39A, 223В389344434
YJG110G08HR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 80В, 110А, 125Вт(PDFN5060)1145299269
YJG60G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 60А, 88Вт [PDFN5060-8L]
= FDMS861034794590
YJG60G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 60А, 88Вт [PDFN5060]
= DMS861011794309477
Страницы:
123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263646566676869707172737475767778798081828384858687888990919293949596979899100101102103104105106107108109110111112113114115116117118119120121122123124125126127128129130131132133134135136137138139140141142143144145146147148149150151152153154155156157
