Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественные
транзисторы биполярные импортные
транзисторы полевые отечественные
транзисторы полевые импортные
составные транзисторы Дарлингтона
СВЧ транзисторы
IGBT транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
AUIRFR540ZTRL, транзистор DPAK
871632285
Корпус DPAK (TO-252AA)
AUIRFR8401TRL, транзистор Autom Q101 Nкан 40В 100А 4.25мОм DPak
255864463
Корпус DPAK (TO-252AA)
AUIRLS3036-7P, транзистор Autom Q101 Nкан 60В 300А D2Ppak7
1064230178
Корпус D2PAK-7
AUIRLS3036-7P, транзистор Autom Q101 Nкан 60В 300А D2Ppak7
763975748
Корпус D2PAK-7
BC857BDW, двойной PNP транзистор общего назначения, -50В, -0.2А, 0.3Вт (SOT-363) = BC857BDW1T1G (ONS
1975115284
Корпус SOT-363
BLC2425M10LS250, транзистор
236172004
BSC016N06NS, Транзистор, рассеивание мощности: 139 Вт
1762366784
BSC123N08NS3G, транзистор полевой N-канал 80В 55A TDSON-8
85525466
Структура N-канал
Корпус TDSON-8
BSC123N08NS3G, транзистор полевой N-канал 80В 55A TDSON-8
1369807699
Структура N-канал
Корпус TDSON-8
BSC520N15NS3 G, Транзистор, N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
1842661839
BSH103,215, транзистор
699169076
BSH112, транзистор
1189043198
BSN20.215, транзистор N-кан 50В 170мА SOT-23
1877421651
Корпус SOT-23
BSO110N03MSG, Транзистор полевой N-CH 30V 10A 8-Pin DSO
1248324877
BSP62, PNP дарлингтон транзистор 90В 1А SOT223 09г
1789376449
Корпус SOT-223-3
BSS123, транзистор SOT23
517014122
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.17
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 6000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,36
Покзать параметры
BSS123LT1G, транзистор N-канал 100В 170мА SOT-23-3
1845418281
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.17
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,225
Покзать параметры
BSS138, транзистор 7-F SOT23
1845712915
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,3
Покзать параметры
BSS84LT1G, P-канальный транзистор 50В 130мА SOT-23
1680418043
Структура P-канал
Корпус SOT-23
BSZ034N04LSATMA1
289362547
BSZ040N04LS G
692647074
C3M0065090D, Транзистор TO-247-3
75316621
Корпус TO-247-3
CF739, транзистор 2-Gate GaAsFET 10v80mA1.75GHz
1668353453
CR160-E3, транзистор 1.6мА, 100В,TO-18
1712302917
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Корпус TO-18
CR360-E3, транзистор 3.6мА, 100В,TO-18
976950516
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Корпус TO-18
CR470-E3, транзистор 4.7мА, 100В,TO-18
97404162
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Корпус TO-18
CSD16323Q3, транзистор 8SON
796560233
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 60
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 5.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3
Покзать параметры
CSD16340Q3, Транзистор N-канал 25В 60А Q3
763000492
Структура N-канал
CSD16401Q5, транзистор 8SON
577967427
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 38
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3,1
Покзать параметры
CSD16406Q3, транзистор 8SON
1471177025
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 19
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 7.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,7
Покзать параметры
CSD16406Q3, Транзистор N-канал 25В 60А Q3
1965882863
Структура N-канал
CSD16407Q5, транзистор 8SON
716625863
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 31
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3,1
Покзать параметры
CSD16409Q3, транзистор 8SON
1509097947
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 12.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,6
Покзать параметры
CSD16410Q5A, транзистор 8SON
2137965949
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 16
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3
Покзать параметры
CSD16412Q5A, транзистор 8SON
1844963522
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 16
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3
Покзать параметры
CSD16414Q5, транзистор 8SON
1318698749
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 34
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3,2
Покзать параметры
CSD17579Q5AT, Транзистор N-канал 30В 25A Q5AT
1569569544
Структура N-канал
CSD18535KTTT, Транзистор N-канал 60В 200A TO-263
399798933
Структура N-канал
Корпус TO-263
CSD19534Q5A, Транзистор N-канал 100В 50A Q5A
3485604
Структура N-канал
CSD19534Q5AT, Транзистор N-канал 100В 50A Q5AT
1609652504
Структура N-канал
CSD25301W1015, транзистор 6DSBGA
1373151590
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -0,6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 82
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Покзать параметры
CSD25401Q3, транзистор 8SON
797268432
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -14
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -1,2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 11.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,8
Покзать параметры
CSD75301W1015, транзистор 6DSBGA
515843170
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -0,7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,8
Покзать параметры
DGQ4051EEQ-T1-GE4, транзистор
1810981145
DGQ4052EEQ-T1-GE4, транзистор
561671851
DGQ4053EEQ-T1-GE4, транзистор
2127755792
FA38SA50LC, транзистор N канал 500В 38А SOT227
135436559
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 38
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 130
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 500
Покзать параметры
FBS4652-TR1, транзистор
257997862
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.