Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественные
транзисторы биполярные импортные
транзисторы полевые отечественные
транзисторы полевые импортные
составные транзисторы Дарлингтона
СВЧ транзисторы
IGBT транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
IRF740ASTRLPBF, N канал транзистор 400В 10A D2PAK
1743448960
Структура N-канал
Корпус D2PAK
IRF740ASTRLPBF, Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
559671417
Корпус D2PAK
IRF740BPBF, MOSFET транзистор
438870181
IRF740L, транзистор N канал 400В 10А ТО262
1769661661
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 550
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF740LCPBF, Транзистор, N-канал, 400В 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
479276236
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRF740PBF, транзистор N канал 400В 10А TO220AB
1096484276
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 550
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF740SPBF, транзистор N канал 400В 10А D2Pak
2012136573
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 550
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF740STRLPBF, МОП транзистор, N Канал, 400В 550мОм ID 10 A Qg 63nC
337441792
Структура N-канал
IRF7410TRPBF, транзистор
2047740100
IRF7410TRPBF, транзистор P канал 12В -16А SO8
1857245891
Корпус SOIC-8
IRF7410TRPBF, транзистор Р канал 12В 16А SO8
33122586
Корпус SOIC-8
IRF7413ZPBF, 8-SO, Полевой транзистор, N-канальный, 30В, 13А
19272878
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 13
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2,25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 10
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF7416TRPBF, P канальный транзистор -30В -10А SO8
39476113
Корпус SOIC-8
IRF7468PBF, SOIC8
479900520
Корпус SOIC-8
IRF820APBF, транзистор N канал 500В 2.5А TO220AB
1700590430
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50
Покзать параметры
IRF820PBF, транзистор
1056574482
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50
Покзать параметры
IRF820PBF, транзистор N канал 500В 2.5А TO220AB
157206495
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50
Покзать параметры
IRF830APBF, транзистор N-канальный 500В 5А TO-220AB
1382810392
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 74
Покзать параметры
IRF830PBF, N-канальный транзистор 500В 4.5А TO220AB
1763667477
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 74
Покзать параметры
IRF840ALPBF, транзистор N канал 500В 8.0А TO262
184353639
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 850
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF840APBF, транзистор N канал 500В 8.0А TO220AB
1712379427
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 850
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF840ASPBF, D2Pak (TO-263)
1106386451
Корпус TO-263
IRF840ASPBF, транзистор N канал 500В 8А D2Pak
842796886
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 850
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF840ASTRRPBF, транзистор N канал 500В 8А D2Pak
1588529727
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 850
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF840LC, транзистор N канал 500В 8А TO220AB
795746338
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 850
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF840PBF, полевой транзистор N 500В 8.0А
1949879929
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 850
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF840PBF, транзистор N канал 500В 8.0А TO220AB
1107684605
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRF840SPBF, D2Pak (TO-263)
883184959
Корпус TO-263
IRF840STRLPBF, транзистор N канал 500В 8А D2Pak
108858716
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Температура, С -55...+150
Корпус D2Pak-2
IRF9321PBF, транзистор P канал 30В -15А SO8
32343270
Корпус SOIC-8
IRF9510PBF, транзистор P канал 100В -4А TO220AB
2049959690
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 43
Покзать параметры
IRF9510SPBF, транзистор P канал 100В -4А D2Pak
1949339075
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 43
Покзать параметры
IRF9520, транзистор P канал 100В -6.8А TO220
1033247338
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -6.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 480
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 48
Покзать параметры
IRF9520PBF, транзистор P канал 100В -6.8А TO220AB
354872315
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -6.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 600
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 60
Покзать параметры
IRF9520S, транзистор P канал 100В -6.8А D2Pak
1719881827
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -6.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 600
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 60
Покзать параметры
IRF9530SPBF, МОП транзистор P Канал -100В 300мОм -12A 38nC
1903525733
Структура P-канал
IRF9540PBF, транзистор P канал 100В -19А ТО220AB
709516652
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -19
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Покзать параметры
IRF9540PBF, транзистор TO220
1873173555
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -19
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Покзать параметры
IRF9540SPBF, МОП транзистор, P Канал -100В 200мОм ID -19 A Qg 61nC
825357622
Структура P-канал
IRF9540STRLPBF, МОП транзистор, P Канал, -100В 200мОм ID -19 A Qg 61nC
1096956679
Структура P-канал
IRF9620PBF, транзистор P канал 200В -2.5А TO220AB
1979279095
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 40
Покзать параметры
IRF9630PBF, транзистор P канал 200В -6.5А TO220AB
1389403676
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -6.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 800
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 74
Покзать параметры
IRF9630SPBF, транзистор P канал 200В -6.5А D2Pak
313189582
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -6.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 800
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 74
Покзать параметры
IRF9640PBF, транзистор P канал 200В -11А TO220AB
917316304
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -11
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF9640STRRPBF, МОП транзистор, P Канал -200В 500мОм ID -11A Qg 44nC
1631926676
Структура P-канал
IRF9Z14PBF, транзистор P канал 60В -6.7А TO220AB
655703923
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -6.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 43
Покзать параметры
IRF9Z24PBF, МОП транзистор, P Канал, -60В 280мОм ID -11A Qg 19nC
65842735
Структура P-канал
IRF9Z34PBF, транзистор P канал 60В -19А TO220AB
2027559082
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 140
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 88
Покзать параметры
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.