Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественные
транзисторы биполярные импортные
транзисторы полевые отечественные
транзисторы полевые импортные
составные транзисторы Дарлингтона
СВЧ транзисторы
IGBT транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
IRF9Z34PBF, транзистор TO-220
1804372966
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 140
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 88
Покзать параметры
IRF9Z34SPBF, МОП транзистор, P Канал, -60В 140мОм ID -18 A Qg 34nC
1186165897
Структура P-канал
IRF9Z34SPBF, МОП транзистор, P Канал, -60В 140мОм ID -30 A (TO-263) аналог IRF9Z34SPBF
662242659
Корпус TO-263
IRFB11N50APBF, транзистор N канал 500В 11А TO220AB
826258121
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 520
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 17
Покзать параметры
IRFB17N50LPBF, транзистор N канал 500В 17А TO220AB
673553791
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 280
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 220
Покзать параметры
IRFB18N50KPBF, транзистор N канал 500В 17А TO220AB
890235140
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 290
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 220
Покзать параметры
IRFB23N15DPBF, транзистор Nкан 150В 23А TO220AB
1903529190
IRFB260NPBF, транзистор N канал 200В 56А TO220AB аналог IR (IRFB260NPBF)
1822459053
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRFB4019PBF, N канал транзистор 150В 17А TO-220AB
468348022
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRFB4310PBF, транзистор полевой N канал 100В 130А TO-220AB
168421238
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRFB4321PBF, N канал транзистор 150В 85А TO-220AB
1097735919
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRFB4321PBF, транзистор полевой N-канал 150В 83А, [TO-220AB]
1580791775
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRFB52N15DPBF, Nкан 150В 60А TO220AB
2113503585
Корпус TO-220AB
IRFB52N15DPBF, транзистор N канал 150В 60А TO220AB
243623812
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRFB5615PBF, транзистор N канал 150В 34А TO220AB
32339873
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRFB9N30A, транзистор N канал 300В 9.3А ТО220АВ
1759262814
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1750
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 78
Покзать параметры
IRFB9N65A, транзистор N канал 650В 9.5А ТО220АВ
1193317927
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 930
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 167
Покзать параметры
IRFB9N65APBF, транзистор N канал 650В 9.5А ТО220АВ
1278375274
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 930
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 167
Покзать параметры
IRFBC40LPBF, транзистор N канал 600В 6.2А D2Pak
1732918290
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.1
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRFBC40PBF, транзистор N канал 600В 6.2А TO220AB
374419716
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.1
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRFBC40SPBF, МОП транзистор, N Канал, 600В 1200мОм ID 6,2 A Qg 60nC
872411789
Структура N-канал
IRFBE20PBF, транзистор N канал 800В 1.8А TO220AB
501605365
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 6500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 54
Покзать параметры
IRFBF20PBF, транзистор N канал 900В 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
1707365773
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRFBF20SPBF, транзистор N канал 900В 1.7А D2-Pak
190506169
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 8000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 54
Покзать параметры
IRFBF20STRLPBF, МОП транзистор, N Канал, 900В 8000мОм ID 1,7A Qg 38nC
693672152
Структура N-канал
IRFBF30PBF, транзистор N канал 900В 3.6А TO220AB
898438748
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3700
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRFBG20PBF, транзистор N канал 1000В 1.4А TO220AB
34400675
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 11000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 54
Покзать параметры
IRFD014PBF, транзистор N канал 60В 1.7А HVMDIP
1485634383
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRFD024PBF, транзистор N канал 60В 2.45А HEXDIP
722052717
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.45
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,35
Покзать параметры
IRFD110PBF, МОП транзистор, N Канал, 100В 540мОм ID 1 A Qg 8,3nC
357644759
Структура N-канал
IRFD120, транзистор N канал 100В 1.3А HEXDIP
1467943905
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 270
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRFD120PBF, транзистор N канал 100В 1.3А HEXDIP
1697365155
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 270
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRFD210, транзистор N канал 200В 0.6А HEXDIP
2031661267
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Покзать параметры
IRFD210PBF, транзистор N канал 200В 0.6А HEXDIP
1902725612
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Покзать параметры
IRFD220PBF, транзистор N канал 200В 0.8А HEXDIP
770122103
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 800
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Покзать параметры
IRFD224PBF, транзистор N канал 250В 0.63А HEXDIP
2051873574
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.63
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Покзать параметры
IRFD320PBF, транзистор N канал 400В 0.49А HEXDIP
1257909392
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.49
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1800
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Покзать параметры
IRFD420PBF, транзистор N канал 500В 0.37А HEXDIP
1534161293
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.37
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Покзать параметры
IRFD9014PBF, транзистор
701637265
IRFD9014PBF, транзистор P канал60В -1.1А HEXDIP
2092944400
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.1
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRFD9024PBF, транзистор P канал60В -1.6А HEXDIP
1029258595
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 280
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRFD9110, транзистор P канал100В -0.7A HEXDIP
1536076932
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRFD9110PBF, транзистор P канал100В -0.7A HEXDIP
676372081
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRFD9120PBF, транзистор P канал100В -1А HEXDIP
394227950
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 600
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRFD9210, транзистор P MOSFET -200В -0.4А защ
848665971
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -0.4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Покзать параметры
IRFD9210PBF, МОП транзистор, P Канал, -200В 3000мОм ID -0,4 A Qg 8,9nC
1208439182
Структура P-канал
IRFD9220, транзистор P MOSFET -200В -0.56А защ
532838723
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -0.56
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRFD9220PBF, транзистор P MOSFET -200В -0.56А защ HEXDIP
2078371914
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -0.56
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.