Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественные
транзисторы биполярные импортные
транзисторы полевые отечественные
транзисторы полевые импортные
составные транзисторы Дарлингтона
СВЧ транзисторы
IGBT транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
IRLD120PBF, полевой транзистор, 100V, HEXDIP package
1978082636
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 270
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRLHM620TRPBF, транзистор N канfk 20В 40А 2.5мОм PQFN3x3
519784115
Корпус PQFN3x3
IRLI530GPBF, МОП транзистор, N Канал, 100В 160мОм ID 9,7 A Qg 28nC
357644761
Структура N-канал
IRLI640GPBF, транзистор
2106224164
IRLIZ44G, транзистор N канал 60В 30А logic isol
119854787
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 30
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 28
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 48
Покзать параметры
IRLL014TRPBF-BE3, Полевой транзистор, N-Chan 60В 2.7 Amp
2113508766
IRLL024NTRPBF, N канал транзистор 55В 3.1А SOT223
1520755192
Структура N-канал
Корпус SOT-223-3
IRLL110PBF, транзистор N канал 100В 1.5А SOT223
1708411375
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 540
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3,1
Покзать параметры
IRLL110TRPBF, транзистор N канал 100В 1.5А SOT223
2101091078
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 540
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3,1
Покзать параметры
IRLML0040TRPBF, транзистор Micro3[тм]/SOT-23
400266143
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 56
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRLML0040TRPBF, транзистор N канал 40В 3.6А Micro3/SOT23
1972373308
Структура N-канал
Корпус SOT-23
IRLML2060, N-канальный MOSFET, 60В, 1.2А (SOT-23)
1631617620
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 640
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,25
Покзать параметры
IRLML2246, P-канальный MOSFET, -20B, -2.6A (SOT-23)
1904959034
IRLML2402TRPBF, транзистор MOSFET N канал 20В 1.2А SOT-23
1227078280
Структура N-канал
Корпус SOT-23
IRLML2402TRPBF, транзистор N канал 20В 1.2А Micro3/SOT23
1446851139
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 0,7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 250
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,54
Покзать параметры
IRLML2803TRPBF, SOT-23
551484681
Корпус SOT-23
IRLML6244TRPBF, SOT23-3
1310220860
Корпус SOT-23-3
IRLML6246TRPBF, транзистор N канал 20В 4.1А лог Micro3/SOT23
1886573907
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.1
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 46
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRLML6346, N-канальный силовой MOSFET, 30В, 3.4А, 1.3Вт [SOT23]
823924321
IRLML6401TRPBF, транзистор Micro3[тм]/SOT-23
1966350084
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -4.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -0,95
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRLML9301TRPBF, транзистор Micro3[тм]/SOT-23
1267864676
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -3.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -2,4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 64
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Покзать параметры
IRLMS1503TRPBF, TSOP-6
710267764
Корпус TSOP-6
IRLR024NPBF, транзистор D-Pak
580927712
Корпус DPAK (TO-252AA)
IRLR110, транзистор N канал 100В 4.3А logic DPak
1583670480
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 540
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 25
Покзать параметры
IRLR110TRPBF, транзистор N канал 100В 4.3А logic DPak
401551138
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 540
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 25
Покзать параметры
IRLU110PBF, транзистор
290670501
IRLZ14PBF, МОП транзистор, N Канал, 60В 200мОм ID 10 A Qg 8,4nC
1208439180
Структура N-канал
IRLZ24PBF, транзистор N канал 60В 17А logic TO220AB
314135134
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 60
Покзать параметры
IRLZ44PBF, транзистор N канал 60В 50А logic TO220AB
1245774270
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 28
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Покзать параметры
IXFH13N80, MOSFET транзистор N канал 800В 13A TO-247
534658349
Структура N-канал
Корпус TO-247-3
IXFN44N100Q3, транзистор
1466298021
IXTK120N25P, 120 A, 250 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
873436569
Корпус TO-264AA
IXTK120N25P, N-канальный транзистор 120А, 250В 0.024Ом, TO-264AA
257660070
Структура N-канал
Корпус TO-264AA
MJH6284G, транзистор
1773089150
MMBFJ177, P-канальный транзистор, 30В, 0.02А (SOT-23)
1806276270
Структура P-канал
Корпус SOT-23
MMBFJ201, транзистор N-канал 40В 0.05А SOT-23
61638394
MMBTSC3356Q, кремниевый эпитаксиальный плоский NPN транзистор, 20В, 100мА, 200мВт [SOT-23] = BFR92
5747109
Корпус SOT-23
MMBTSC3356Q, кремниевый эпитаксиальный плоский NPN транзистор, 20В, 100мА, 200мВт [SOT-23] = BFR92
1450871524
Корпус SOT-23
MSK3003, транзистор
1774030042
MTP20P06, транзистор
21786554
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Температура, С -65...+150
Корпус TO220AB
MTP2P50EG, транзистор TO-220AB
1023193626
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 6000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 75
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
NDS7002A, SOT-23
854524490
Корпус SOT-23
NTD20N06LT4G, транзистор
1075730872
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 37.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 60
Покзать параметры
NTE4153NT1G, N-канальный транзистор 20В 915мА SC-89-3
1268474119
Структура N-канал
Корпус SC-89-3
NTGS3443T1G, транзистор P-канл 20В 4.4A TSOP6
439025016
Корпус TSOP6
NTHS4101PT1G, транзистор NTHS4101PT1G
1450586032
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -6.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 42
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,3
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
PE4140-51, транзистор
768571395
RS100N100T, Транзистор N канал 100В, 100A, TO-220, (=NCEP0178, VST008N10MS, GP082N10M, HRG80N10P)
1291301800
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 100
Корпус TO-220
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.