Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Схема проезда к офису

Транзисторы
Кол-во на странице:
SI3441DV, транзистор
639791873
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -0,95
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 135
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,96
Покзать параметры
SI3447DV-T1, транзистор
923016992
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -0,45
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
SI3900DV-T1-GE3, N канал транзистор 20В 2.4A TSOP-6
468844511
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 125
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,15
Температура, С -55…+150
Покзать параметры
SI7135DP-T1-GE3, полевой транзитор P-канал 30В 31.6A PowerPAK-SO-8
966244908
Структура P-канал
Корпус SOIC-8
SI7617DN-T1-GE3, PowerPAKВR 1212-8
145617663
Корпус PowerPAK 1212
SIHB12N65E-GE3, транзистор MOSFET N канал 650В 12A 3-Pin D2PAK
1615338808
Структура N-канал
Корпус D2PAK
SIHB25N50E-GE3, MOSFET транзистор N канал 500В 26A 3-Pin D2PAK
1577563082
Структура N-канал
Корпус D2PAK