Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественные
транзисторы биполярные импортные
транзисторы полевые отечественные
транзисторы полевые импортные
составные транзисторы Дарлингтона
СВЧ транзисторы
IGBT транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
SIHB5N80AE-GE3, транзистор
1724471262
SIHD11N80AE-GE3, транзистор
1743723997
SIHD11N80AE-T1-GE3, МОП транзистор Е серия DPAK (TO-252), 1350 m?
559673630
Корпус DPAK (TO-252AA)
SIHD14N60E-GE3, полевой транзистор N канал 600В 13A 3-Pin TO-252
452539394
Структура N-канал
Корпус TO-252
SIHD5N50D-GE3, MOSFET D серия N канал 500В
1023360376
Структура N-канал
SiHD5N80AE-GE3, МОП транзистор Е серия DPAK (TO-252), 1350мОм
1006410313
Корпус DPAK (TO-252AA)
SIHF068N60EF-GE3, транзистор
1763926965
SiHF080N60E-GE3, МОП транзистор Е серия TO-220 FULLPAK, 80мОм, 10V
559673627
Корпус TO-220
SIHF18N50C-E3, транзистор N канал 560В 18А TO220FP
482048958
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 550
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 280
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 39
Покзать параметры
SIHF540STRL-GE3, полевой транзистор N канал 100В 28A 3-Pin
1358299620
Структура N-канал
SIHF630S-GE3, N канал MOSFET, 9 A, 200 V, 3-Pin
551730566
Структура N-канал
SIHF640STRL-GE3, полевой транзистор N канал 200В 18A 3-Pin
1014353375
Структура N-канал
SIHF6N40D-E3, транзистор
42070034
SIHF8N50D-E3, транзистор
1714083716
SiHFPS37N50A-GE3, МОП транзистор Super-247, 130мОм, 10V
1937540908
Корпус Super-247
SiHFPS38N60L-GE3, МОП транзистор Super-247, 150мОм, 10V
1319188515
Корпус Super-247
SiHFPS40N50L-GE3, МОП транзистор Super-247, 100мОм, 10V
156389101
Корпус Super-247
SiHFPS40N60K, МОП транзистор Super-247, 130мОм, 10V
1409694840
Корпус Super-247
SiHFPS40N60K-GE3, транзистор
197843034
SIHFR120TR-GE3, полевой транзистор N канал 100В 7.7A 3-Pin
652487102
Структура N-канал
SIHFZ48RS-GE3, полевой транзистор N канал Si 60В 50A 3-Pin(2+Tab)
2076396252
Структура N-канал
SIHFZ48S-GE3, полевой транзистор N канал Si 60В 50A 3-Pin(2+Tab)
2076396250
Структура N-канал
SIHG026N60EF-GE3, транзистор
1810981146
SIHG052N60EF-GE3, EF Series МОП транзистор с диодом TO-247AC, 52мОм, 10V
603125791
Корпус TO-247AC
SIHG068N60EF-GE3, транзистор
197843024
SiHG080N60E-GE3, МОП транзистор Е серия TO-247AC, 80мОм, 10V
512619460
Корпус TO-247AC
SIHG105N60EF-GE3, EF Series МОП транзистор с диодом TO-247AC, 102мОм, 10V
1006410318
Корпус TO-247AC
SIHG11N80AE-GE3, транзистор
985159358
SIHG125N60EF-GE3, транзистор
601127551
SIHG15N80AE-GE3, транзистор
985159353
SIHG15N80AEF-GE3, транзистор
1004412093
SIHG16N50C-E3, транзистор
39458595
SIHG16N50C-E3, транзистор N канал 560В 16А TO247AC
1283156680
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 16
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 380
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 250
Покзать параметры
SIHG17N60D-E3, транзистор
1018718312
SIHG17N60D-GE3, транзистор
1364681358
SIHG17N80AE-GE3, транзистор
177640058
SiHG17N80AEF-GE3, МОП транзистор Е серия с диодом TO-247AC, 305мОм, 10V
559673628
Корпус TO-247AC
SiHG186N60EF-GE3, транзистор
1743723998
SIHG20N50C-E3, транзистор
877226002
SIHG21N65EF, транзистор
1018227396
SIHG21N80AEF-GE3, МОП транзистор Е серия с диодом TO-247AC, 250мОм, 10V
512619457
Корпус TO-247AC
SIHG22N60S-E3, транзистор N канал 650В 22А TO247AC
544063238
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 22
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 190
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 250
Покзать параметры
SIHG24N65E-GE3, полевой транзистор N канал 650В 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
1305826349
Структура N-канал
Корпус TO-247AC
SIHG24N80AE-GE3, транзистор
177640062
SIHG28N65EF, транзистор
1096322420
SIHG32N50D-GE3, транзистор
1553398501
SIHG33N65EF, транзистор
1097907821
SiHG35N60EF-GE3, полевой транзистор N канал 600В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
1762359161
Структура N-канал
Корпус TO-247AC
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.