Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
SIHG47N60E-GE3, транзистор N канал 650В 47А TO247AC
162782443
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 47 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 64 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 357 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 6,8 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Корпус | TO247AC |
SIHLR120TR-GE3, N канал MOSFET, 7.7 A, 100 V, 3-Pin DPAK
652487105
| Структура | N-канал |
| Корпус | DPAK (TO-252AA) |
SIHP12N50C-E3, транзистор N канал 560В 12А TO220AB
217897700
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 560 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 555 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 3 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Корпус | TO220AB |
SIHP16N50C-E3, транзистор N канал 560В 16А TO220AB
1247524468
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 560 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 380 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 3 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Корпус | TO220AB |
SIHP18N50C-E3, транзистор N канал 560В 18А TO220AB
1296120877
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 560 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 270 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 223 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 6,4 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Корпус | TO220AB |
SIHP22N60S-E3, транзистор N канал 650В 22А TO220AB
20109169
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 190 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 9,4 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Корпус | TO220AB |
SIHP5N50D-GE3, Транзистор, N-канал, 500В 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
1055774738
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-220AB |
SIHP6N40D-GE3, Транзистор, N канал 400В 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
1762362108
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-220AB |
SiJ128LDP-T1-GE3, МОП транзистор N-канал 80-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 15.6мОм,
10VмОм, 7.5V 2
156389099
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOIC-8 |
SiJ450DP-T1-GE3, МОП транзистор N-канал 45В (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 1.9мОм,
10V, 2.65мОм, 4.5
1006410312
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOIC-8 |
SiJ462ADP-T1-GE3, МОП транзистор N-канал 60-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 7.2мОм,
10VмОм, 7.5V 11
2078703397
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOIC-8 |
Страницы:
123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263646566676869707172737475767778798081828384858687888990919293949596979899100101102103104105106107108109110111112113114115116117118119120121122123124125126127128129130131132133134135136137138139140141142143144145146147148149150151152153154155156157158159160161162163164165166167168169170171172173174
