Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественные
транзисторы биполярные импортные
транзисторы полевые отечественные
транзисторы полевые импортные
составные транзисторы Дарлингтона
СВЧ транзисторы
IGBT транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
WMO15N65F2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS F2 650V
86817340
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO15N70C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 700V
470926115
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO15N70C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 700V
1230441002
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO16N65SR, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS SR 650V
1210238027
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO16N70SR, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS SR 700V
67641589
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO18N55C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 550V
1431184921
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO18N65EM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 650V
1518645330
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO18N70EM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 700V
1210238016
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO22N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
2057213323
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO22N55C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 550V
1881523615
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO25N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
1431184919
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO25N55C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 550V
2057213320
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO26N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
2117821951
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO26N60F2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS F2 600V
1673104258
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO26N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
1296670926
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO26N65F2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS F2 650V
1075982074
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO80R1K0S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 800V
792629557
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO80R1K5S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 800V
1552144447
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO80R480S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 800V
13939496
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO80R720S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 800V
1599198611
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO90R1K1S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
1531941471
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO90R1K5S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
34142469
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO90R1K5S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
369142057
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO90R830S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
12911698
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMP02N90C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 900V
1176738907
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP03N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V
1901726877
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP03N90C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 900V
792629562
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP05N100C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 1000V
772426579
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP05N105C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 1050V
1578995635
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP05N70MM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 700V
450723141
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP05N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V
874210645
Структура N-канал
Корпус TO-251
ULN2003AFWG, драйвер-расширитель на 7 каналов SO16
307800940
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003D1013TR, матрица транзисторов NPN 50В 0.5A SO16
1334305485
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2004ADR, матрица транзисторов Дарлингтона NPN 50В 0,5А SO16
1987387321
ULN2004AN, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, DIP16
86820638
ULN2802A, PDIP18
2036111183
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803A, 18-DIP
784179626
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803A, [SOP-18]; Darlington Transistor Arrays ROHS=ULN2803ADR (TI);=ULN2003A(ON);=ULN2803A(TOSHIB
894407081
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803APG, PDIP18
1540466593
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
198НТ7А, (1990-91г)
858583471
Кол-во, транзисторов 4
Полярность NPN
198НТ7А, (1992-99г)
1514072532
Кол-во, транзисторов 4
Полярность NPN
KID65003AP, Транзисторная сборка (Дарлингтон) (=ULN2003A), [DIP-16]
584741745
Корпус PDIP16
TD62064AP, Транзисторная сборка Darlington NPN 50В 1.5А [DIP-16]
5467762
Iимп. Коллектора, мА 1500
Полярность NPN
Корпус PDIP16
ULN2003A, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, [DIP-16]
912793399
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003AFWG, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА [SO-16]
774250167
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003APG, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, [DIP-16]
297060383
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003D1013TR, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, [SO-16]
610006990
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2004A, Транзистор Дарлингтона 7- NPN 50V 0.5A, [DIP-16]
1065703395
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.