Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественные
транзисторы биполярные импортные
транзисторы полевые отечественные
транзисторы полевые импортные
составные транзисторы Дарлингтона
СВЧ транзисторы
IGBT транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
ULN2004A, Транзисторы и сборки биполярные
1125093249
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2064B, Счетверенный переключатель на транзисторах Дарлингтона, 50В, 1.5А, [DIP-16]
1500265750
Uвх., В 15
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 1500
Кол-во, транзисторов 4
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2068B, Счетверенный переключатель на транзисторах Дарлингтона, 50В, 1.5А, [DIP-16]
1694613645
Uвх., В 15
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 1500
Кол-во, транзисторов 4
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2802A, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В [DIP-18]
605609372
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803A, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]
1976163821
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803APG, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]
653290552
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2804A, Матрица из восьми транзисторов Дарлингтона, 500мА, 50В, [DIP-18]
490597543
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULQ2003A, Матрица из семи транзисторов Дарлингтона, 500мА, [DIP-16]
932996498
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…105.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
КР159НТ1Б (90-97Г), Матрица из двух n-p-n транзисторов
1074158675
Кол-во, транзисторов 2
Полярность NPN
КР159НТ1В, Матрица из двух n-p-n транзисторов
1740857103
Кол-во, транзисторов 2
Полярность NPN
КР198НТ1Б, Транзисторная сборка из пяти N-канальных биполярных транзисторов
1095653525
Кол-во, транзисторов 5
КР198НТ5А (90-99Г), Транзисторная сборка, матрица биполярных транзисторов
2058008985
Кол-во, транзисторов 5
159НТ101А, (1990-91г)
1476932719
159НТ1А, (1990-99г)
1910706856
159НТ1В, (1990-97г)
1618100442
162КТ1А, (1990-97г)
380700340
198НТ1А, (1990-99г)
1759260794
ULN2003AD, 16-SOIC
672453737
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003ADR, SOIC16
922345326
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003AFWG
556201361
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003AN, транзистор NPN 50В 0.5A PDIP16
956105205
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…70.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003AN, транзистор Дарлингтона NPN 50В 0.5A PDIP16
1394577870
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…70.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003LVDR
1946972607
ULN2064B, 4-х канальн. мощный ключ Дарлингтона, Iвых=1,5A, U=50В,DIP16.
1882307665
Uвх., В 15
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 1500
Кол-во, транзисторов 4
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803ADWR, SO18-300
691120898
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803ADWR, матрица транзисторов NPN 50в 0,5А SO18
2038470584
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803AFWG, ULN2803AFW без свинца, матрица из транзисторов
255867554
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
BFU530AR, SOT-23 (TO-236AB)
1138134678
BFU550AR, SOT-23 (TO-236AB)
784179624
MGF0918A-03, GaAs FET полевой транзистор , материал - арсенид галия, центральная частота рабочего д
142048593
MGF0920A-03, GaAs FET 1.9GHz 8.3W 30dBm GF-50
1910051899
MGF2445A-01, GaAs FET 12GHz GF-17, СВЧ тразистор
1597581233
MGFC36V5258-51, свч транзистор GaAs FET 5.2-5.8GHz 4W GF-8
875719676
RD20HMF1-101, свч транзистор 900MHz 20W 12.5V ceramic
1778318251
BFP540H6327XTSA1, SOT-343
640236440
BFR92AW, SOT323
940482555
BFS17A,215, биполярный транзистор, NPN, SOT-23 (TO-236AB)
1014589738
ATF-36077-STR
1518947765
BFR540,215, SOT-23
1643474805
BFR93A,215, SOT-23
871633341
BLF2045.112, UHF power LDMOS transistor 30 W (PEP) 12.5 dB
1961728471
PD55015-E, RF POWER transistor POUT = 15W with 14dB gain @ 500MHz / 1V
1855062788
DG120X07T2, Trench FS IGBT, Low Loss , 650V/120A IGBT with Diode
347894824
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 120
Корпус TO-247
Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением n-канал с диодом
FGH40N60SMD, IGBT транзистор 600В, 80А, 290Вт TO-247
314915687
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 80
Корпус TO-247
FGH60N60SFDTU, TO-247
1187464151
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Корпус TO-247
FGP20N60UFD, IGBT транзистор 600В, 20A TO-220
1359079150
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20
Корпус TO-220
IHFW40N65R5SXKSA1, IGBT транзистор 650В, 40А, 108Вт до 175гр C TO-247
65063493
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 40
Корпус TO-247
IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 30А, 106Вт до 175гр C TO-247
468348020
Максимальное напряжение кэ ,В 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 30
Корпус TO-247
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.