Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
DGW15N65CTL, IGBT дискрет, 650B, 15A, 120Вт (TO-220)
1073663128
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 15 |
| Корпус | TO-220 |
DGW20N60CTL, IGBT дискрет, 600B, 20A, 166Вт (TO-220)
1655220227
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 20 |
| Корпус | TO-220 |
DGW20N65CTL, IGBT дискрет, 650B, 20A, 166Вт (TO-220)
1429893499
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 20 |
| Корпус | TO-220 |
DGW25N120CTL, IGBT дискрет, 1200B, 25A, 326Вт (TO-220) аналог DG25X12T2
1298989856
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 25 |
| Корпус | TO-220 |
DGW30N65BTH, IGBT дискрет, 650B, 30A, 187Вт (TO-220)
1026608972
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 30 |
| Корпус | TO-220 |
DGW30N65CTH, IGBT дискрет, 650B, 30A, 187Вт (TO-220)
623324445
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 30 |
| Корпус | TO-220 |
DGW30N65CTL, IGBT дискрет, 650B, 30A, 187Вт (TO-220)
2105558910
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 30 |
| Корпус | TO-220 |
DGW40N120CTH, IGBT дискрет, 1200B, 40A, 500Вт (TO-220)
1073663139
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Корпус | TO-220 |
DGW40N65BTH, IGBT дискрет, 650B, 40A, 250Вт (TO-220)
1429893498
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Корпус | TO-220 |
DGW40N65CTH, IGBT дискрет, 650B, 40A, 306Вт (TO-220)
1298989857
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Корпус | TO-220 |
DGW40N65CTL, IGBT дискрет, 650B, 40A, 250Вт (TO-220)
1702274384
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Корпус | TO-220 |
DGW50N65BTH, IGBT дискрет, 650B, 50A, 300Вт (TO-220)
1026608971
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 50 |
| Корпус | TO-220 |
DGW50N65CTH, IGBT дискрет, 650B, 50A, 300Вт (TO-220)
623324444
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 50 |
| Корпус | TO-220 |
DGW50N65CTL1, IGBT дискрет, 650B, 50A, 326Вт (TO-220)
277352951
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 50 |
| Корпус | TO-220 |
DGW60N65BTH, IGBT дискрет, 650B, 60A, 333Вт (TO-220)
1796382725
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 60 |
| Корпус | TO-220 |
DGW75N65CTL1, IGBT дискрет, 650B, 75A, 395Вт (TO-220)
1440152363
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 75 |
| Корпус | TO-220 |
FGH40N60SMD, IGBT транзистор, 600В 80А 290Вт TO-247-3
613904604
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Корпус | TO-247 |
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
1673356678
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Корпус | TO-264 |
STGP3NC120HD, IGBT Chip N-CH 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220
1653144806
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 14 |
| Корпус | TO-220 |
FGH60N60SFD, IGBT транзистор транзистор 600В, 60А TO-247
1251168254
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 60 |
| Корпус | TO-247 |
FGW50G60HD, IGBT транзистор тразистор 600В 50А 360Вт TO-247
1477715101
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Корпус | TO-247 |
G20T65D, IGBT транзистор, 650B, 20A, 95Вт (TO-220F) аналог DGF15N65CTL0
1430668461
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 20 |
| Корпус | TO-220F |
HGTG20N60B3, IGBT транзистор
1586149973
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1,8 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 20 |
HGTG20N60B3D, IGBT транзистор
1650911478
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1,8 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 20 |
HGTG30N60A4, IGBT транзистор TO247
437904213
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 75 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1,8 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 30 |
HGTG30N60A4D, IGBT транзистор TO247
1500386561
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 75 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1,8 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 30 |
IRG4PH50UDPBF, TO-247AC
1601511346
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 45 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3,7 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 40 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 200 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 24 |
IXGT16N170A, IGBT транзистор TO-268
40666372
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1700 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 32 |
| Корпус | TO-268 |
SGW25N120, IGBT транзистор 1200В 25А TO247
647834940
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 25 |
| Корпус | TO247 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3,1 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 313 |
| Управляющее напряжение,В | 4 |
SKW25N120, IGBT транзистор транз.с диодом, 1200В, 25A, TO247
590571846
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 25 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3,1 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 313 |
| Управляющее напряжение,В | 4 |
STGP3NC120HD, IGBT Chip N-CH 1.2KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
1072362774
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 14 |
| Корпус | TO-220 |
Страницы:
123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263646566676869707172737475767778798081828384858687888990919293949596979899100101102103104105106107108109110111112113114115116117118119120121122123124125126127128129130131132133134135136137138139140141142143144145146147148149150151152153154155156157158159160161162163164165166167168169170171172173174175176177178179180181182183184185
