Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественные
транзисторы биполярные импортные
транзисторы полевые отечественные
транзисторы полевые импортные
составные транзисторы Дарлингтона
СВЧ транзисторы
IGBT транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
IRFB4227PBF, TO-220AB
355824760
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 65
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 24
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 330
Покзать параметры
IRFI530NPBF, TO-220F
1163073788
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 12
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 110
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 41
Покзать параметры
IRFP250NPBF, Электроэлемент
1964271569
IRFR110TRPBF, DPAK/TO-252AA
459697643
Корпус DPAK (TO-252AA)
IRFR2407TRPBF, DPAK/TO-252AA
102976923
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 42
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 26
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Покзать параметры
IRFR24N15DTRPBF, DPAK/TO-252AA
1733203027
Корпус DPAK (TO-252AA)
IRFR3711ZTRPBF, DPAK/TO-252AA
53813509
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 93
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2,45
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 5.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 79
Покзать параметры
IRFR9024PBF, DPAK/TO-252AA
2060496827
Корпус DPAK (TO-252AA)
IRFU320PBF, TO-251AA
1831185942
Корпус TO-251AA
IRFUC20PBF, TO-251AA
285304967
IRL640STRLPBF, D2Pak (TO-263)
1468490971
IRLB3034PBF, транзистор Nкан 40В 343А TO-220AB
1921908831
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 195
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 375
Покзать параметры
IRLML6401, SOT-23
1542862708
NCE3090K, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]
1550851866
Корпус TO-252
P2504EDG, DPAK/TO-252AA, Vgs(th)=-1,4 V
563763648
Корпус DPAK (TO-252AA)
RD70HHF1-101, Ceramic
1028432364
SI2307CDS-T1-GE3, SOT-23-3 (TO-236)
115999950
Корпус SOT-23-3
SI7232DN-T1-GE3, PowerPAKВR 1212-8 Dual
1325845909
SPW20N60S5FKSA1, PG-TO-247-3
829756708
Корпус TO-247-3
STB4NK60ZT4, STB4NK60ZT4, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 2,5А, 70Вт, D2PAK
1128007056
STD30NF06LT4, DPAK
2064363179
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 70
Температура, С -55...+175
Покзать параметры
STF21NM60ND, Транзистор, FDmesh II, N-канал, 600 В, 0.17 Ом, 17А [TO-220FP]
167091636
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 220
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 30
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
STP11NK40Z
1410337429
STP21N65M5, TO-220AB
664520176
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 150
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 30
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
STP5NK100Z, TO-220AB
409527469
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3700
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 31.5А [TO-247]
2136460103
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 31.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 105
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 250
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
TK5P50D(T6RSS-Q), Микросхема
240367707
TK8A60DA(STA4,X,S), Транзистор
640886310
TPN5R203PL,LQ, MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1
1756631547
WSD3810DN, 30V 18A 9m-@10V,10A 20W 1.6V@250uA 22pF@15V 2 N-Channel 455, Транзистор
1831179927
WMO13N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
134899024
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO13N55C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 550V
268385507
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMO13N65EM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 650V
1921929858
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
WMP05N90C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 900V
1599198616
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP06N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
1600226407
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP06N70EM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 700V
450723142
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP06N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V
1095157822
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP06N90C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 900V
13939491
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP07N100C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 1000V
369142053
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP07N105C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 1050V
1531941469
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP07N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
955022550
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP07N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
1055779100
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP07N70C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 700V
854007657
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP07N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V
1230441007
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP07N90C2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C2 900V
1955428978
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP08N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
1358307078
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP08N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
652494558
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP08N65EM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 650V
86817352
Структура N-канал
Корпус TO-251
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.