Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественные
транзисторы биполярные импортные
транзисторы полевые отечественные
транзисторы полевые импортные
составные транзисторы Дарлингтона
СВЧ транзисторы
IGBT транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
WMP90R1K1S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
12911697
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP90R1K5S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
772426585
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP90R1K5S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
793657357
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMP90R830S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
369142059
Структура N-канал
Корпус TO-251
WMU10N65EM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 650V
490101879
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMU10N70EM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 700V
854007670
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMU13N65EM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 650V
1115360804
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMU13N70EM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 700V
450723144
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ13N65EM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 650V
450723137
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ26N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
249210045
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ26N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS F2 600V
1673104256
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ26N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
1249616758
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ30N65EM, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS EM 650V
1652901279
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ36N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 600V
1673104255
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ36N60C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS F2 600V
249210044
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ36N60F2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS F2 600V
1316873897
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
1479266598
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ36N65F2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS F2 650V
1249616752
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ53N60F2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS F2 600V
107020314
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ53N60F2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS F2 600V
1055779098
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ53N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
1296670924
Структура N-канал
Корпус TO-220F
WMZ53N65F2, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS F2 650V
86817353
Структура N-канал
Корпус TO-220F
КП526А9, Транзистор MOSFET N-канал 30В 1.49А (=IRLML2803)
68158439
Структура N-канал
ULN2003ADR, матрица из 7 транзисторов, драйвер на 7 каналов SO16
818174517
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2803ADWR, 18-SOIC
1025117068
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2803AFWG, драйвер расширитель SO18
1759262983
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
MC1413BDR2G, SO-16
206730940
ULN2001D1013TR, SOIC16
429730448
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2002A, DIP16
1492583856
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2002D1013TR, SO-16
754046842
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2003A, DIP16
1551375372
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003AD, SO-16
452015976
ULN2003ADR, SOIC16
1682083831
ULN2003ADR2G, SOIC16
448649954
ULN2003AFWG, SOIC16
1075486497
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003AIDR, SOIC16
1117433987
ULN2003AIPWR, TSSOP16
804880319
ULN2003AN, DIP16
668386522
ULN2003APG, DIP16
1119880904
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2003APWR, TSSOP16
761203622
ULN2003D1013TR, SO-16
392618779
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2004A, DIP16
753271973
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2004APG, DIP16
1255210589
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -40.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2004D1013TR, SO-16
1774909087
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 7
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Полярность NPN
Покзать параметры
ULN2064B, 16-PowerDIP (20x7.10)
1740856952
Uвх., В 15
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 1500
Кол-во, транзисторов 4
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2068B, DIP16
613867967
Uвх., В 15
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 1500
Кол-во, транзисторов 4
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2074B, DIP16
991856571
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 1500
Кол-во, транзисторов 4
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ULN2802A, DIP18
619238440
Uвх., В 30
Uк-э, В 50
Iимп. Коллектора, мА 500
Кол-во, транзисторов 8
Диапазон рабочих температур, гр.С -20.00…85.00
Конфигурация общий эммитер
Покзать параметры
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.