Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественные
транзисторы биполярные импортные
транзисторы полевые отечественные
транзисторы полевые импортные
составные транзисторы Дарлингтона
СВЧ транзисторы
IGBT транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
КП770А, (IRF820)
1439649969
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 50
Корпус TO-220AB
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 2,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3
КП770В, (IRF822)
1120073369
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 50
Корпус TO-220AB
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 2,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 4
КП770Д, (IRF830)
507745249
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 74
Корпус TO-220AB
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 4,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1,5
КП775А, (2SK2498)
139742796
КП809А
858585393
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 100
Крутизна характеристики S,мА/В 1 500
Корпус KT-9
Покзать параметры
КП809А1
1456734805
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 100
Крутизна характеристики S,мА/В 1 500
Корпус KT-431
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 25
Покзать параметры
КП809А2
1442507999
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 100
Крутизна характеристики S,мА/В 1 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 0,3
КП809Б
586542256
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 100
Крутизна характеристики S,мА/В 1 500
Корпус KT-9
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 20
Покзать параметры
КП809Б1
747907531
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 100
Крутизна характеристики S,мА/В 1 500
Корпус KT-431
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 20
Покзать параметры
КП809Б2
979537664
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 100
Крутизна характеристики S,мА/В 1 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 0,6
КП813Б2, транзистор полевой
1980976713
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 125
Крутизна характеристики S,мА/В 5 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 22
Покзать параметры
КП901А, (90-92гг.)
414891839
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 70
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 20
Крутизна характеристики S,мА/В 100
Корпус KT-42
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 4
КП902А, (90-92г.)
1798738264
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 3,5
Крутизна характеристики S,мА/В 17
Корпус KT-42
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 0,2
КП904А, (90-95г.)
1890504078
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 70
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 75
Крутизна характеристики S,мА/В 385
Корпус KT-52
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 5
КП907А, (90-92г)
147661440
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 11,5
Крутизна характеристики S,мА/В 155
Корпус KT-162
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 1,7
КП921А
2001181986
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 15
Крутизна характеристики S,мА/В 800
Корпус KT-282
Покзать параметры
КП922А
2011463600
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 60
Крутизна характеристики S,мА/В 1 550
Корпус KT-9
Покзать параметры
КПС104А
1066994122
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,045
Крутизна характеристики S,мА/В 1
10N65F, [TO-220F]; MOSFETs ROHS; STP9N65M=(ST)
1196935064
Корпус TO-220F
15N10, [TO-252]; 100V 15A 50W 80mR@10V,10A 2.5V@250?A N Channel MOSFETs ROHS;=FQD13N10L(ON);=TK15S10
134892193
Корпус TO-252
1N60L, DPAK/TO-252AA
79002218
2N7002A-7-F, транзистор SOT-23-3
1369529421
Корпус SOT-23-3
2N7002B, [SOT-23]; 60V 115mA 5R@10V,500mA 225mW 2.5V@250?A N Channel MOSFETs ROHS;=NDC7002N(ON);=2N7
1055772558
2N7002K, N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 0.35Вт [SOT-23]
1770981851
Структура N-канал
Корпус SOT-23
2N7002K-T1-GE3, N канал транзистор 60В 300мА SOT-23-3 (TO-236)
1826518474
Структура N-канал
Корпус SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3, транзистор MOSFET N канал 60В 0.3A 3-Pin SOT-23
1504467682
Структура N-канал
Корпус SOT-23
2SK1317-E, транзистор N канал Si 1.5кВ 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
458712322
Структура N-канал
Корпус TO-3P
2SK2843
897703721
AO4612, транзистор N-канал/ P-канал, 60В, 4.5/-3.2А, 2Вт, 56мОм/105мОм SO8
984210169
Структура N&P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Корпус SOIC-8
AUIRFB8409, полевой транзистор N-канал 40В 195А 1.3мОм TO220AB
972389094
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
BC847BW, кремниевый эпитаксиальный плоский NPN транзистор, 50В, 100мА, 225мВт [SOT-323]
964954173
Корпус SOT-323
BC857BW, пластиковый капсулированный PNP транзистор, -50В, -100мА, 150мВт [SOT-323]
2127753590
Корпус SOT-323
BF998E6327HTSA1, SOT143
398321915
Корпус SOT-143
BSC057N08NS3GATMA1, TDSON-8/ SuperSO8
923074251
BSC059N04LS6, транзистор полевой N-канал 40В 59А TDSON-8FL
803864747
Структура N-канал
Корпус TDSON-8FL
BSC0802LSATMA1, транзистор полевой N-канал 100В, 100А PG-TDSON-8
1987377793
Структура N-канал
Корпус TDSON-8
BSP129H6327XTSA1, SOT-223
1523992386
Корпус SOT-223-3
BSS138, N-канальный MOSFET, 50В, 0.22А, 0.35Вт [SOT-23]
398977787
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,3
Покзать параметры
BSS138KJ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 0.6А, 0.8Вт [SOT-23]
2105560008
Структура N-канал
Корпус SOT-23
BSS138NH6327XTSA2, Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
1732683197
BSS138W-7-F, SOT-323
1954654174
Корпус SOT-323
BSS295, транзистор SIPMOS 50В 1.4A 0.3? TO92
1431194227
Корпус TO-92
BTS4140NHUMA1, TO-261-4, TO-261AA
1023322023
Корпус TO-261AA
CSD16404Q5A, транзистор 8SON
1041655797
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 21
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 7.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3
Покзать параметры
CSD16409Q3, Транзистор N-канал 25В 60А Q3
399798922
Структура N-канал
CSD16413Q5A, транзистор 8SON
696048531
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 24
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 5.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3,1
Покзать параметры
CSD17304Q3, Транзистор N-канал 30В 56А Q3
1562598336
Структура N-канал
CSD17308Q3T, Транзистор N-канал 30В 50A Q3
3485605
Структура N-канал
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.