Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Схема проезда к офису

Транзисторы
Кол-во на странице:
CSD17309Q3, Транзистор N-канал 30В 30A Q3
1119230852
Структура N-канал
CSD17571Q2, Транзистор N-канал 30В 22A Q2
1609652503
Структура N-канал
CSD17573Q5B, Транзистор N-канал 30В 100A Q5B
1569569547
Структура N-канал
CSD18535KTTT, N-канал транзистор 60В 2мОм D2PAK//TO-263
1159313809
Структура N-канал
Корпус TO-263
CSD18537NQ5A, Транзистор N-канал 60В 50A Q5A
763000491
Структура N-канал
CSD18537NQ5AT, Транзистор N-канал 60В 50A Q5AT
1965882864
Структура N-канал
CSD18563Q5AT, Транзистор N-канал 60В 100A Q5AT
1166285018
Структура N-канал
CSD19531KCS, Транзистор N-канал 100В 100A TO-220
1562598337
Структура N-канал
Корпус TO-220
CSD19538Q2, Транзистор N-канал 100В 14A Q2
1965882875
Структура N-канал
CSD19538Q3A, Транзистор N-канал 100В 15A Q3A
1166285007
Структура N-канал
CSD25310Q2, Транзистор P-канал -20В -20A Q2
3485593
Структура P-канал
CSD25402Q3A, Транзистор P-канал -20В -72A Q3A
1119230840
Структура P-канал
CSD25402Q3AT, Транзистор P-канал -20В -76A Q3AT
763000481
Структура P-канал
GT080N10K, N канальный транзистор 100В 65A TO-252
1286461761
Структура N-канал
Корпус TO-252
GT55N06D5
1589264706
HFP4N60, Транзистор MOSFET N-канальный 600 В 4 А [TO-220] (=IRFBC30PBF)
2112759926
Структура N-канал
Корпус TO-220
HKTG120N04, N-канальный MOSFET, 40В, 120А (PDFN5x6)
615379775
Структура N-канал
Корпус PDFN5x6
HKTQ150N03, N-канальный MOSFET, 30В, 150А (PDFN3333)
547419639
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 150
Корпус PDFN3333
HKTQ30P03, P-канальный MOSFET, -30В, -60А, 32мВт (PDFN3333)
144135050
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 60
Корпус PDFN3333
IAUC120N04S6N009ATMA1, N-канальный транзистор 40В 120А PG-TDSON-8
1631147434
Структура N-канал
Корпус TDSON-8
IPD180N10N3G, транзистор N канал 100В 43А PG-TO252-3
1249623068
Структура N-канал
Корпус TO-252-3
IPD60R1K0PFD7SAUMA1, N канал транзистор 650В 8.8А DPAK
2034431961
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
IPD60R1K5PFD7SAUMA1, N канал транзистор 650В 6А DPAK
1987377794
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
IPD60R210PFD7SAUMA1, N канал транзистор 650В 42А DPAK
421293853
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
IPD60R600PFD7SAUMA1, N канал транзистор 650В 14А DPAK
1631147435
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
IPD80R2K0P7ATMA1, N канал транзистор 800В 3А DPAK
65063494
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)
IPN60R600PFD7SATMA1, N канал транзистор 650В 14А SOT223
694451393
Структура N-канал
Корпус SOT-223-3
IPP039N04LGXKSA1, N канал транзистор 40В 80А TO220-3
2034431962
Структура N-канал
Корпус TO-220
IRF1404PBF, транзистор N канал 40В 162А ТО220AB
4306838
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 162
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Покзать параметры
IRF1404PBF, транзистор N канал 40В 162А ТО220AB
731401138
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 162
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Покзать параметры
IRF2807PBF, транзистор Nкан 75В 82А ТО220AB
1177393171
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 82
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 230
Покзать параметры
IRF3205LPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 55В 110А [TO-262]
1574290763
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 110
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Покзать параметры
IRF3205PBF, транзистор N канал 55В 110А TO220AB
257241201
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 110
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Покзать параметры
IRF3710PBF, транзистор N канал 100В 57А TO220AB
158925900
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 57
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 23
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Покзать параметры
IRF3710ZSPBF, транзистор N канал 100В 59А D2Pak
353209045
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 59
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 160
Покзать параметры
IRF3711ZPBF, транзистор N канал 20В 92А TO220AB
1941662065
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 92
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2,45
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 79
Покзать параметры
IRF3808PBF, транзистор N канал 75В 140А TO220AB
1805808921
Структура N-канал
Корпус TO-220AB