Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 600В 47А 70мОм TO247
334185902
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 47 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 415 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | TO247AC |
SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 650В 47А 70мОм TO247
1928144207
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 47 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 415 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | TO247AC |
STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А [TO-220AB]
1257808912
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-220AB |
TLE5212G, транзистор 2x0.5A 4x50mA low-side SO28
809185632
| Структура | Инт. ключ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 24 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 800 |
| Корпус | SO28 |
| Особенности | Интеллектуальный ключ с защитой |
TLE5224G2, транзистор 2x4A Low Sw.PDSO-24-3
868866075
| Структура | Инт. ключ |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 250 |
| Корпус | SO24 |
| Особенности | Интеллектуальный ключ с защитой |
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
269413016
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
WMQ30N03T2, полевой транзистор 30В PDFN8L3X3
44860153
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 24 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | PDFN3030-8L |
YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N
343584679
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния,
1200B, 38A, 220В
1230441923
| Структура | N-канал |
YJD25GP06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF
418516570
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L]
= BSC
228225536
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060-8L |
YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]
953485035
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060]
2056431570
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG55G10A, одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления, 100В, 55А,
89Вт (PDFN5060-8L)
1390003345
YJG90G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 90А, 120Вт [PDFN
5X6] = FDMS8615
1741142932
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN 5x6 |
YJL02N10A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 2А [SOT-23] = SI2328DS-T1-E3
= SI2324A-TP
889352802
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Корпус | SOT-23 |
YJL03N06A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] EOL = YJL03N06C
= IRLML0060
1921938466
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]
1483300193
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF
1947446254
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2305A, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF
676731139
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2305B, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -5.4А [SOT-23] = SI2399DS-T1-GE3
= DMP2110U
82783748
| Структура | P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.4 |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L]
= IRLML25
791337011
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23-3 |
YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346
1695921855
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]
1625783790
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-223-3 |
YJS05N06A, сдвоенный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 5А, 3.1Вт (SOP-8)
1460348965
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOP-8 |
