Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
YJS4409A, одиночный P-канальный усиленный FET транзистор, -30В, -18А, 3.4Вт (SOP-8)
1904815666
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOP-8 |
CF750, двухзатворный полевой транзистор GaAs до 3ГГц 8В 0,3Вт SOT142
2091050488
| Структура | 2P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 10 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -80 |
| Корпус | D2PAK |
CSD16403Q5A, транзистор 8SON
1663904012
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1,6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3,1 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 91 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SON8-3x3 |
CSD23201W10, транзистор 4DSBGA
1723972675
| Структура | P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -2.2 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -0,6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 82 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 9 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | DSBGA-4 |
IRFB3206PBF, Транзистор полевой N-канал 60В 120А [TO-220AB]
1195145747
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-220AB |
IRFBC30A, транзистор
323491369
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4,5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 2200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2,1 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | TO220AB |
IRLML2402, транзистор N канал 20В 1.2А Micro3 SOT23
1679465253
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.2 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 0,7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 250 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0,54 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 1,3 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | Micro3/SOT23 |
MTP52N06VL, транзистор 60В 52A
1214496944
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 52 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 22 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 188 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 24 |
| Температура, С | -55…+175 |
| Корпус | TO220-3 |
(AP4957GM) микросхема P-MOSFET AP4957GM SO-8, Транзистор P-MOSFET 30В 7.7А [SOP-8]
1992544086
| Корпус | SOIC-8 |
