транзисторы полевые импортные
15N10, [TO-252]; 100V 15A 50W 80mR@10V,10A 2.5V@250?A N Channel MOSFETs ROHS;=FQD13N10L(ON);=TK15S10
134892193
| Корпус | TO-252 |
2N7002B, [SOT-23]; 60V 115mA 5R@10V,500mA 225mW 2.5V@250?A N Channel MOSFETs ROHS;=NDC7002N(ON);=2N7
1055772558
2N7002K, N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 340мА, 0.35Вт [SOT-23]
1770981851
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
2N7002K-T1-GE3, N канал транзистор 60В 300мА SOT-23-3 (TO-236)
1826518474
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23-3 |
2N7002K-T1-GE3, транзистор MOSFET N канал 60В 0.3A 3-Pin SOT-23
1504467682
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
2SK1317-E, транзистор N канал Si 1.5кВ 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
458712322
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-3P |
AO4612, транзистор N-канал/ P-канал, 60В, 4.5/-3.2А, 2Вт, 56мОм/105мОм SO8
984210169
| Структура | N&P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Корпус | SOIC-8 |
AUIRFB8409, полевой транзистор N-канал 40В 195А 1.3мОм TO220AB
972389094
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-220AB |
BC847BW, кремниевый эпитаксиальный плоский NPN транзистор, 50В, 100мА, 225мВт [SOT-323]
964954173
| Корпус | SOT-323 |
BC857BW, пластиковый капсулированный PNP транзистор, -50В, -100мА, 150мВт [SOT-323]
2127753590
| Корпус | SOT-323 |
BSC059N04LS6, транзистор полевой N-канал 40В 59А TDSON-8FL
803864747
| Структура | N-канал |
| Корпус | TDSON-8FL |
BSC0802LSATMA1, транзистор полевой N-канал 100В, 100А PG-TDSON-8
1987377793
| Структура | N-канал |
| Корпус | TDSON-8 |
BSS138, N-канальный MOSFET, 50В, 0.22А, 0.35Вт [SOT-23]
398977787
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1,5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0,3 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 0,1 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SOT23 |
BSS138KJ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 0.6А, 0.8Вт [SOT-23]
2105560008
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
CSD16404Q5A, транзистор 8SON
1041655797
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1,8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 7.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 57 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SON8-3x3 |
CSD16413Q5A, транзистор 8SON
696048531
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1,6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 5.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3,1 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 95 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SON8-5x6 |
CSD87384M, транзисторная сборка синхронного выпрямителя 2xN-канал 30В 30A DBC
1965882874
| Структура | 2N-канал |
HCD80R1K4E, [D-PAK] Транзистор MOSFET 800В 4А 1,4 Rds (=FCD1300N80Z, STD5N80K5, IPD80R1K4P7ATMA1)
126427565
| Корпус | DPAK (TO-252AA) |
HCS80R380R, [TO-220F] Транзистор MOSFET N-канальный 800 В 14 А =STF15N80K5 можно предложить
вместо S
1240880877
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-220F |
