транзисторы полевые импортные
STW8NK80Z, транзистор TO247
1971290062
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | TO-247-3 |
VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF
339007542
| Структура | N&P-канал |
| Корпус | SOIC-8 |
VS-FA57SA50LCP, транзистор N канал 500В 57А SOT227
2136891919
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Корпус | SOT-227 |
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
268385504
| Структура | N-канал |
| Корпус | DPAK (TO-252AA) |
YJB150N06BQ, [TO-263] MOSFET транзистор N-канальный 60В 150А
2052152216
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-263 |
YJB70G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 70А, 125Вт [TO-263]
1775398315
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-263 |
YJD15N10A, MOSFET транзистор N-канальный 100В 15А [TO-252]
1222499262
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
YJD212030NCTGH, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния,
1200B, 78A, 220В
1185976025
| Структура | N-канал |
YJD212040NCFG1, N-канал транзистор SiC 1200В 63А, 300Вт TO247-4L (=C3M0065090D C3M0075120K)
1345402455
YJD212040NCTG1, N-канал транзистор SiC 1200В 63А 300Вт TO247AB (=C3M0065090D C3M0075120K)
TO247-2
694451783
YJD212080NCFG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния,
1200B, 39A, 223В
389344434
| Структура | N-канал |
YJD60N02A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 60А (TO-252-B)
1458814764
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252-B |
YJD65G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 65А, 96Вт [TO-252]
1309715401
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
YJD65G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 65А, 96Вт [TO-252]
2107051903
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
YJG110G08HR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 80В, 110А, 125Вт(PDFN5060)
1145299269
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG20N06A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 21Вт [PDFN5060]
819214735
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG53G06A, N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 53А [DFN5X6]
486068272
| Структура | N-канал |
| Корпус | DFN5x6 |
YJG60G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 60А, 88Вт [PDFN5060-8L]
= FDMS86
1034794590
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060-8L |
YJG60G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 60А, 88Вт [PDFN5060]
= DMS86101
1794309477
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG60G15HJ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 150В, 60А, 125Вт [PDFN5060]
429234542
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG70G06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 70А, 70Вт (PDFN5060)
1210748311
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG80G06A, N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 80А [DFN5X6]
129837915
| Структура | N-канал |
| Корпус | DFN5x6 |
YJG85G06AK, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 85А, 110Вт [PDFN5060]
1775398320
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG90G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 90А, 120Вт [PDFN
5X6] = FDMS8615
175058991
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN 5x6 |
YJH03N10A, [SOT-89] MOSFET транзистор N-канальный 100В 3А
2029068315
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-89-3 |
YJL03G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 3A, 1.2Вт (SOT-23)
274782055
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL03N06C, N-канальный усиленный FET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] = YJL03N06A
1269826137
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL10P02AL, одиночной P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -10А, 2.5Вт (SOT-23-3L)
1327145158
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23-3 |
YJL2300A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 4.5А, 1Вт [SOT-23]
= IRLML2502TR
1648867688
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2300С, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 4.5А, 1Вт [SOT-23]
1845706121
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2301D, [SOT-23] MOSFET транзистор P-канальный -15В -3.8А
343584680
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2302A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 4.3А, 1Вт [SOT-23]
1080015667
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2304A, [SOT-23] MOSFET транзистор N-канальный 30В 3.6А = IRLML2803TRPBF
129837914
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2312A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 20В, 6.8А [SOT-23]
59699850
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL3401A, [SOT-23] MOSFET транзистор P-канальный -30В -4.4А
1648867689
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL3401AL, MOSFET транзистор P-канальный -30В -4.4А [SOT-23-3L]
343584677
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23-3 |
YJL3404A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23]
1909668618
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL3407A, P-канальный MOSFET транзистор, -30В, -4.1А [SOT-23]
1695921856
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23 |
