транзисторы полевые импортные
SIHB105N60EF-GE3, МОП транзистор EF серия с диодом D2PAK (TO-263), 102мОм, 10В
2125757564
| Корпус | TO-263 |
SIHB12N65E-GE3, транзистор MOSFET N канал 650В 12A 3-Pin D2PAK
1615338808
| Структура | N-канал |
| Корпус | D2PAK |
SIHB25N50E-GE3, MOSFET транзистор N канал 500В 26A 3-Pin D2PAK
1577563082
| Структура | N-канал |
| Корпус | D2PAK |
SIHD14N60E-GE3, полевой транзистор N канал 600В 13A 3-Pin TO-252
452539394
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
SIHF18N50C-E3, транзистор N канал 560В 18А TO220FP
482048958
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 550 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 280 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 39 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 6,4 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Корпус | TO220FP |
