транзисторы полевые импортные
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
269413016
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
WMQ30N03T2, полевой транзистор 30В PDFN8L3X3
44860153
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 24 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | PDFN3030-8L |
YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N
343584679
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния,
1200B, 38A, 220В
1230441923
| Структура | N-канал |
YJD25GP06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF
418516570
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L]
= BSC
228225536
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060-8L |
YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]
953485035
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060]
2056431570
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5060 |
YJG55G10A, одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления, 100В, 55А,
89Вт (PDFN5060-8L)
1390003345
YJG90G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 90А, 120Вт [PDFN
5X6] = FDMS8615
1741142932
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN 5x6 |
YJL02N10A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 2А [SOT-23] = SI2328DS-T1-E3
= SI2324A-TP
889352802
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Корпус | SOT-23 |
YJL03N06A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] EOL = YJL03N06C
= IRLML0060
1921938466
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]
1483300193
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF
1947446254
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2305A, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF
676731139
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2305B, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -5.4А [SOT-23] = SI2399DS-T1-GE3
= DMP2110U
82783748
| Структура | P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.4 |
| Корпус | SOT-23 |
YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L]
= IRLML25
791337011
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23-3 |
YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346
1695921855
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]
1625783790
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-223-3 |
YJS05N06A, сдвоенный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 5А, 3.1Вт (SOP-8)
1460348965
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOP-8 |
YJS4409A, одиночный P-канальный усиленный FET транзистор, -30В, -18А, 3.4Вт (SOP-8)
1904815666
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOP-8 |
CF750, двухзатворный полевой транзистор GaAs до 3ГГц 8В 0,3Вт SOT142
2091050488
| Структура | 2P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 10 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -80 |
| Корпус | D2PAK |
CSD16403Q5A, транзистор 8SON
1663904012
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1,6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3,1 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 91 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SON8-3x3 |
CSD23201W10, транзистор 4DSBGA
1723972675
| Структура | P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -2.2 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -0,6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 82 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 9 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | DSBGA-4 |
IRFB3206PBF, Транзистор полевой N-канал 60В 120А [TO-220AB]
1195145747
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-220AB |
IRFBC30A, транзистор
323491369
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4,5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 2200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2,1 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | TO220AB |
