IGBT транзисторы
IHW20N120R3FKSA1, TO-247
627031979
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 20 |
| Корпус | TO-247 |
IHW30N120R5XKSA1, TO-247
227984269
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 30 |
| Корпус | TO-247 |
IHW30N160R2FKSA1, TO-247
167608290
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 30 |
| Корпус | TO-247 |
IHW30N160R5XKSA1, PG-TO247-3-46
386753250
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 30 |
| Корпус | PG-TO247-3-46 |
IHW40N120R5XKSA1, PG-TO-247-3
65849847
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
IHW40N135R5XKSA1, PG-TO-247-3
582918320
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1350 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Корпус | PG-TO-247-3 |
IRG4BC20FDPBF, TO-220AB
1029888155
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 16 |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 8 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 60 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 9 |
IRG4BC30FDPBF, TO-220AB
1163685601
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 31 |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1,8 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 8 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 100 |
| Управляющее напряжение,В | 6 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 17 |
IRG4BC30KDPBF, TO-220AB
1371624529
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 28 |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2,21 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 25 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 100 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 28 |
IRG4BC30KPBF, TO-220AB
125755466
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 28 |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2,7 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 25 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 100 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 28 |
IRG4BC30UDPBF, TO-220AB
1629899166
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 23 |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1,95 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 60 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 100 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 12 |
IRG4BC30UPBF, TO-220AB
26481798
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 23 |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2,1 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 60 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 100 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 12 |
IRG4BC30WPBF, TO-220AB
1304848143
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 23 |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2,7 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Мощность макс.,Вт | 100 |
| Покзать параметры | |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 12 |
IRG4BC40FPBF, TO-220AB
1796591704
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 49 |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1,7 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 8 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 160 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 49 |
IRG4BC40KPBF, TO-220
1642979993
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 49 |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1,8 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 8 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 160 |
| Управляющее напряжение,В | 6 |
IRG4BC40UPBF, TO-220
2002979009
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2,1 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 60 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 160 |
IRG4BC40WPBF, TO-220AB
329784662
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Корпус | TO220AB |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2,5 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 150 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 160 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 20 |
IRG4IBC20UDPBF, TO-220 Full-Pak
1175541788
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 11 |
| Корпус | TO220FP |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2,8 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 60 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 34 |
| Управляющее напряжение,В | 6 |
IRG4IBC30UDPBF, TO-220FP
1845418249
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 17 |
| Корпус | TO220FP |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2,7 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 60 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 45 |
| Управляющее напряжение,В | 6 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 8,9 |
IRG4IBC30WPBF, TO-220F
1099022338
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 14 |
| Корпус | TO220F |
IRG4PC30UDPBF, TO-247AC
1925139963
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 23 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2,1 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 60 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 100 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 12 |
IRG4PC40FPBF, TO-247AC
1234852506
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 49 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1,5 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 8 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 160 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 49 |
IRG4PC40SPBF, TO-247
1115339977
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 60 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1,5 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 1 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 160 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 31 |
IRG4PC40UPBF, TO-247AC
1753414551
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2,1 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 60 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 160 |
IRG4PC40WPBF, TO-247AC
1829854956
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 40 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2,5 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 150 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 160 |
IRG4PC50FDPBF, TO-247AC
336913612
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 70 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1,6 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 8 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 200 |
IRG4PC50FPBF, TO-247AC
1968482274
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 41 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1,6 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 8 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 200 |
| Управляющее напряжение,В | 6 |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 39 |
| Особенности*: сфера применения | Электропривод |
IRG4PC50KDPBF, TO-247AC
1088007873
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 52 |
| Корпус | TO247AC |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2,2 |
| Максимальная частота переключения, кГц | 25 |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал с диодом |
| Покзать параметры | |
| Мощность макс.,Вт | 104 |
